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J-GLOBAL ID：201702213459654949   整理番号：17A0444818

エッチングプロセスと結合したプラズマ増強Se蒸気セレン化による均一なCu(In,Ga)Se2薄膜の作製【Powered by NICT】

Fabrication of homogeneous CIGS thin film by plasma-enhanced Se vapor selenization coupled with etching process

著者 (5件)： Zhang Xiaoqing (Guangdong Engineering Research Center of Green Manufacturing for Energy-Saving and New-Energy Technology, School of Mechanical and Automotive Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Huang Yunxiang (Guangdong Engineering Research Center of Green Manufacturing for Energy-Saving and New-Energy Technology, School of Mechanical and Automotive Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Yuan Wei (Guangdong Engineering Research Center of Green Manufacturing for Energy-Saving and New-Energy Technology, School of Mechanical and Automotive Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Tang Yong (Guangdong Engineering Research Center of Green Manufacturing for Energy-Saving and New-Energy Technology, School of Mechanical and Automotive Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Li Lin (Guangdong Engineering Research Center of Green Manufacturing for Energy-Saving and New-Energy Technology, School of Mechanical and Automotive Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 190  ページ： 276-279  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,エッチング(PESVSE)法と結合した新しいプラズマ増強Se蒸気セレン化Cu(In, Ga)Se_2(CIGS)膜中のGaの均一な深さ分布を達成することを実証した。CIGS膜の表面上のGa濃度の有意な増加がPESVSEプロセス中のArプラズマによる過剰金属インジウムの除去に起因し,単相CIGS膜は相分離することなく得られた。PESVSEプロセスに基づくCIGS膜では観察されなかった小さな結晶粒または亀裂。PESVSEプロセスから得られたCIGSデバイスは,8.79%の増強された変換効率を示した,TASVSプロセス(6.18%)から得られた素子のそれと比較した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 深さ分布 ,  相分離 ,  アルゴン ,  結晶粒 ,  *エッチング ,  *プラズマ ,  亀裂 ,  *ガリウム ,  単相 ,  薄膜
準シソーラス用語： 変換効率 ,  *セレン化ガリウムインジウム銅 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 薄膜 ,  Cu(In Ga)Se_2 ,  プラズマ ,  エッチング ,  セレン化 ,  太陽エネルギー材料

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (10件)： エッチングプロセス ,  プラズマ ,  増強 ,  Se ,  蒸気 ,  セレン化 ,  Cu ,  Ga ,  薄膜 ,  作製