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J-GLOBAL ID：201702213499909787   整理番号：17A0168287

HゲートSOI NMOSデバイスのしきい値電圧に及ぼす全線量照射の影響【Powered by NICT】

Effects of total dose irradiation on the threshold voltage of H-gate SOI NMOS devices

著者 (6件)： Wang Qianqiong (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Liu Hongxia (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Chen Shupeng (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Wang Shulong (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Fei Chenxi (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zhao Dongdong (School of Microelectronics, Xidian University)
資料名： Hejishu(Yingwenban)  (Hejishu(Yingwenban))
巻： 27  号： 5  ページ： 117-1-117-7  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2619A  ISSN： 1001-8042  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,シリコンオンインシュレータ(SOI)技術におけるN型金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(nMOSFET)のしきい値電圧に及ぼす全線量照射の影響を調べた。しきい値以下の分離技術を用いて,閾値電圧シフトを引き起こす因子は二つの部分:トラップされた酸化物電荷と界面状態の影響を照射下で提示したに分割した。さらに,データを解析することにより,照射線量が低い,しきい値電圧は最初に負のシフトを示し,その後正シフトに変わった。さらに,しきい値電圧に及ぼす線量率効果の影響を論じた。研究結果はしきい値電圧シフトは,低線量率条件でより顕著であり,100krad(Si)の低用量のことを示した。しきい値電圧の変性値はフロントゲートのための23.4%と58.0%,低線量率でのバックゲートであった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 照射線量 ,  酸化物 ,  *NMOS構造 ,  絶縁材料 ,  電荷 ,  FET【トランジスタ】 ,  ケイ素 ,  表面準位 ,  *放射線量 ,  絶縁体
準シソーラス用語： バックゲート ,  低線量率 ,  線量率効果 ,  閾値電圧シフト ,  nMOSFET ,  *閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 絶縁体(SOI)上のシリコン ,  しきい値電圧 ,  線量率効果 ,  界面状態

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲート ,  SOI ,  NMOS ,  しきい値電圧