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J-GLOBAL ID：201702213583121431   整理番号：17A0214180

チャネルパーコレーション展望からの「ランダムデバイス物理」を理解するための新しいアプローチ:統計的シミュレーション,重要な因子と実験結果【Powered by NICT】

New approach for understanding “random device physics” from channel percolation perspectives: Statistical simulations, key factors and experimental results

著者 (10件)： Zhang Zhe (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Zhang Zexuan (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Wang Runsheng (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Jiang Xiaobo (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Guo Shaofeng (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Wang Yangyuan (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Wang Xingsheng (Synopsys, Glasgow G3 7JT, U.K.) ,  Cheng Binjie (Synopsys, Glasgow G3 7JT, U.K.) ,  Asenov Asen (Synopsys, Glasgow G3 7JT, U.K.) ,  Huang Ru (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 7.2.1-7.2.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パーコレーションチャネルの概念は,ナノスケールトランジスタにおける理解統計的可変性と信頼性のために必須である。本論文では,チャネル電流パーコレーション経路(PP)の定量的因子を初めてのプラナおよびFinFETデバイスで調べ,統計的シミュレーションと実験による特性評価と包括的にした。適切に定義PPパラメータは,提案した新しいアプローチにより定量化し,「原子論的」素子シミュレーションから抽出した。ランダムテレグラフノイズ(RTN)の実験データは,根底にあるチャネル局所電流変動を特性化し,このようにして実際にPPをベンチマークするために原子PPモデルにより使用されている。抽出されたPPパラメータの実験結果をシミュレーションから予測されたものと一致し,提案した方法の有効性を確認した。FinFETにおける3D PPはプレーナ素子における2D PPと比較して異なる特徴を持ち,フィン幅方向に沿った付加的歪を示した。本研究では,「ランダムデバイス物理」の深い理解のための独特の枠組を提供し,将来のナノデバイス設計に有用である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *パーコレーション ,  電流変動 ,  信頼性 ,  フィン ,  ベンチマーク ,  *チャネル ,  幅方向 ,  キャラクタリゼーション ,  三次元 ,  電流 ,  *シミュレーション
準シソーラス用語： ナノデバイス ,  ランダムテレグラフノイズ ,  FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (9件)： チャネル ,  パーコレーション ,  展望 ,  物理 ,  理解 ,  統計 ,  シミュレーション ,  因子 ,  実験結果