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J-GLOBAL ID：201702213613914955   整理番号：17A0754787

モバイルアプリケーションプロセッサにおける粗密二重ループを用いた200mAディジタル低ドロップアウトレギュレータ【Powered by NICT】

A 200-mA Digital Low Drop-Out Regulator With Coarse-Fine Dual Loop in Mobile Application Processor

著者 (8件)： Lee Yong-Jin (Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea) ,  Qu Wanyuan (Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea) ,  Singh Shashank (Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea) ,  Kim Dae-Yong (Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea) ,  Kim Kwang-Ho (Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea) ,  Kim Sang-Ho (Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea) ,  Park Jae-Jin (Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea) ,  Cho Gyu-Hyeong (Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 52  号： 1  ページ： 64-76  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高速過渡応答によるディジタル低ドロップアウト(LDO)レギュレータの粗密二重ループ構造と200mA以上の負荷容量を提案した。提案方式では,出力電圧は二ループ,すなわち,粗いループと微細ループにより同時に調節されている。粗ループはディジタル変換器高速電流ミラーフラッシュアナログを採用し,過渡性能を向上させるために高出力電流を供給し,一方微細ループは,低出力電流を示し,電圧リップルを低減し,制御精度を改善する。に加えて,二ループの間の競合を防ぐために実装したディジタル制御装置。28nm Samsung CMOSプロセスで作製した入力と出力電圧は,それぞれ,1.1と0.9V,0.021mm~2のチップ面積とした場合,提案したディジタルLDOは200mAまでの最大負荷を達成した。約120mVの測定した出力電圧降下は180mAの負荷段階で観察された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *調節器 ,  CMOS ,  変換器 ,  *ディジタル方式 ,  電流源等価回路 ,  高速度 ,  電圧 ,  負荷容量 ,  電流 ,  過渡応答 ,  ディジタル制御
準シソーラス用語： チップ面積 ,  低出力 ,  高出力 ,  出力電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  電源回路  (NC05060Q) ,  発振回路  (NC05020Y)

タイトルに関連する用語 (3件)： 粗密 ,  ループ ,  ディジタル