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J-GLOBAL ID：201702213623339326   整理番号：17A0453611

メチル官能化薄膜における同調可能な量子スピンH all効果の予測【Powered by NICT】

Prediction of tunable quantum spin Hall effect in methyl-functionalized tin film

著者 (9件)： Zhao Hui (School of Physics and Technology, University of Jinan, Jinan, Shandong 250022, People’s Republic of China. [e-mail]) ,  Ji Wei-xiao ,  Zhang Chang-wen ,  Li Ping ,  Zhang Shu-feng ,  Li Feng ,  Wang Pei-ji ,  Li Sheng-shi ,  Yan Shi-shen
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 10  ページ： 2656-2661  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子スピンH all(QSH)効果は,スピン電流の無散逸伝搬に起因する革命的なデバイス開発を促進するかもしれない。QSH効果からボトルネック防止応用が,大きな非自明なバルクギャップと非常に安定な二次元(2D)膜の欠如である。本研究では,包括的密度汎関数理論(DFT)計算を用いた新しい2次元ハニカム格子,すなわちSnCH_3単分子層を設計した。構造安定性は,フォノンスペクトルおよび分子動力学シミュレーションを用いて確認した。興味あることに,その非自明なバルクギャップは0.34eVまで,外部歪による調整可能な更なるを達することができた。非自明なトポロジーは,主にS p_x間のバンド反転,y軌道,ゼロでないトポロジー不変Z_2で示し,バルクギャップに位置するギャップレス螺旋エッジ状態の単一対に由来する。QSH効果に及ぼす増殖基質の影響もスタネンにおける片面に水素結合によりチェックし,観測されたQSH相のロバスト性を示した。電流エレクトロニクス産業との適合性を考慮すると,これらの知見は,位相的現象を濃縮し,高温での2Dスタネンの潜在的用途を拡大する効率的なプラットフォームを提示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ロバスト性 ,  *官能化 ,  単分子層 ,  電子技術 ,  位相幾何学 ,  二次元 ,  水素結合 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： エッジ状態 ,  分子動力学シミュレーション ,  フォノンスペクトル ,  構造安定性 ,  ハニカム格子 ,  スピン電流 ,  *量子スピン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  非線形光学  (BD05000T) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 官能化 ,  薄膜 ,  同調 ,  量子スピン ,  ALL ,  予測