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J-GLOBAL ID：201702213695305781   整理番号：17A0412353

WS_2の厚さを変えることによるbarristorsの工学的性能【Powered by NICT】

Engineering performance of barristors by varying the thickness of WS₂

著者 (10件)： Choi Doo-Hua (Department of Physics, Konkuk University, Seoul, 05029, South Korea) ,  Lee Jun-Ho (Department of Physics, Konkuk University, Seoul, 05029, South Korea) ,  Kim Hyun-Cheol (Department of Physics, Konkuk University, Seoul, 05029, South Korea) ,  Lee Han-Byeol (Department of Physics, Konkuk University, Seoul, 05029, South Korea) ,  Jeoung Nae Bong (Department of Physics, Konkuk University, Seoul, 05029, South Korea) ,  Park Do-Hyun (Department of Physics, Konkuk University, Seoul, 05029, South Korea) ,  Kim Hakseong (Korea Research Institute of Standards and Science, Daejeon, 34113, South Korea) ,  Jhang Sung Ho (Department of Physics, Konkuk University, Seoul, 05029, South Korea) ,  Lee Sang-Wook (Department of Physics, Ewha Womans University, Seoul, 03760, South Korea) ,  Chung Hyun-Jong (Department of Physics, Konkuk University, Seoul, 05029, South Korea)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 17  号： 1  ページ： 11-14  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： WS_2とゲート酸化物の厚さを変えることによってグラフェン二硫化タングステン(WS_2)接合を持つbarristorsの性能を調べた。電流密度(J_ON)ととオフ電流比(J_ON/J_はOFF)が増加すると,サブ閾値スイング(SS)はWS_2厚みと共に減少した。,厚いWS_2とbarristorsは仕事関数シフトを必要とし,barristorsをスイッチした。,従来のデバイスと異なり,ゲート誘電体300nm barristorのV_SSは90nmのそれよりも小さく,前者は後者よりも厚いWS_2で作製した。2次元半導体の材料特性は一般的にそれらの厚さに伴って変化するので,2D半導体の厚さはグラフェンおよび2D半導体とbarristorsの性能を設計するための重要なパラメータになる可能性がある。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 二次元 ,  *グラフェン ,  半導体 ,  仕事関数 ,  電流密度 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 材料特性 ,  サブ閾値スイング ,  二硫化タングステン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： グラフェン ,  二硫化タングステン ,  バリスタ ,  スケーリング則

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (1件)： 工学