文献

J-GLOBAL ID：201702213792487893   整理番号：17A0443953

超高分子量ポリエチレンに及ぼす傾斜設計したa-C膜の密着性とトライボロジー特性【Powered by NICT】

Adhesion and tribological properties of gradient designed a-C film on ultrahigh molecular weight polyethylene

著者 (7件)： Xie Y.J. (State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) ,  Bai W.Q. (State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) ,  Li L.L. (State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) ,  Li L.L. (Zhongao Huicheng Technology Co. Ltd., Beijing 100176, China) ,  Wang X.L. (State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) ,  Jin G. (Zhongao Huicheng Technology Co. Ltd., Beijing 100176, China) ,  Tu J.P. (State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 624  ページ： 7-15  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質炭素(a C)膜を,閉磁場非平衡マグネトロンスパッタリングにより超高分子量ポリエチレン(UHMWPE)基板とSi_3N_4ボール上の勾配設計されたバイアス電圧で堆積した。設計したバイアス電圧は二種類の増加速度で 40Vから 80Vに連続的に増加する。約1000nmの厚さの膜は約20nmのサイズをもつ等軸粒から構成されている。ナノインデンテーション試験は,UHMWPEの硬さは勾配設計されたバイアス電圧を印加したa-C膜の堆積後44MPaから2.16GPaまで増加することを示した。Si_3N_4ボール上に被覆したa-C膜に対するa-C膜滑りの摩耗速度と摩擦係数は空気と往復動トライボメータによって,ハンクの溶液で試験した。勾配バイアス電圧で蒸着したa-C膜は優れた接着性及び摺動性能を示し,バランスのとれたバイアス電圧で堆積したものと比較した。a-C皮膜とSi_3N_4ボールに対して摩耗a-C膜はより低い摩耗速度,非被覆球に対する着用a-C膜と比較して示し,1.95×10~ 15m~3N~ 1m~ 1から1.23×10~ 15m~3N~ 1m~ 1に減少した。Hank溶液中の耐摩耗性能のさらなる増大である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *密着性 ,  摩擦係数 ,  非平衡状態 ,  ナノインデンテーション ,  耐摩耗性 ,  マグネトロンスパッタリング ,  摩耗 ,  硬度 ,  ケイ素 ,  *超高分子量ポリエチレン ,  摩耗速度
準シソーラス用語： トライボメータ ,  バイアス電圧 ,  アモルファスカーボン ,  *トライボロジー特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 非晶質炭素 ,  勾配設計されたバイアス電圧 ,  接着 ,  トライボロジー特性

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高分子量ポリエチレン ,  設計 ,  密着性 ,  トライボロジー特性