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J-GLOBAL ID:201702214206342539   整理番号:17A0449538

埋め込み多層構造による高結晶度を持つVO_2膜の低温蒸着【Powered by NICT】

Low-temperature deposition of VO2 films with high crystalline degree by embedding multilayered structure
著者 (10件):
資料名:
巻: 161  ページ: 70-76  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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はその熱力学的相不安定性と多形構造によるSi基板またはガラス基板上に低温で単相VO_2膜の作製における長年の課題である。最近,低温で蒸着した高品質薄膜の需要は,デバイスとスマート窓への応用に押されている。VO_2/ZnOとVO_2/TiO_2/ZnOの多層膜と同様に,VO_2のサーモクロミック膜を,マグネトロンスパッタリング法で作製し,X線回折(XRD),原子間力顕微鏡(A FM),UV-可視-NIR分光光度計,(走査)透過型電子顕微鏡((S)TEM)と電子エネルギー損失分光法(EELS)によって特性化した。高結晶度VO_2単結晶相を持つ膜はVO_2と基板の間のZnOとTiO_2層を埋め込むことにより,その後のアニーリングなしで300°Cのかなり低い温度で得られた。VO_2/TiO_2/ZnO膜は金属転移(SMT)性能への高い光透過率と良好な半導体を示すことを実証した。著者らのデータは,低温で高結晶度の工業生産のための有望な点を果たすことができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
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酸化物薄膜 
タイトルに関連する用語 (5件):
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