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J-GLOBAL ID：201702214227724597   整理番号：17A0881116

SiO_2~をドープしたSnO_2~-Zn_2SnO_4セラミックバリスタの微細構造と電気的性質に及ぼすSm_2O_3の影響【Powered by NICT】

The effect of Sm₂O₃ on the microstructure and electrical properties of SiO₂-doped SnO₂-Zn₂SnO₄ ceramic varistors

著者 (4件)： Zang Guo-Zhong (School of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, Luoyang 471003, China) ,  Wang Xiao-Fei (School of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, Luoyang 471003, China) ,  Li Li-Ben (School of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, Luoyang 471003, China) ,  Wang Dan-Dan (School of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, Luoyang 471003, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 11  ページ： 8018-8022  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Sm_2O_3とSiO_2~共ドープSnO_2~-Zn_2SnO_4セラミックバリスタを通常のセラミック処理により調製し,得られた微細構造と電気的性質に及ぼすSm_2O_3の影響を調べた。結果はセラミックスはSnO_2とZn_2SnO_4から主に構成された,Smは粒内および粒界に沿って均一に分布していることを示した。0.2mo1%Sm_2O_3ドーピングによって,結晶粒成長が明らかに促進された。Sm_2O_3 0.4mo1%の増加は微量X線回折パターンと微細構造写真による元素Smを含むSiO_2と偏析のであった。0.3mo1%Sm_2O_3をドープした試料では,9.4E B=10V/mm,J_L=16μA/cm~2とε’=1.2×10~4の最適電気特性が得られた。同時に,0.3mo1%Sm_2O_3をドープした試料は110°C以下の温度で0.16eVの最低コンダクタンス活性化エネルギーを有していた。この優れた性能は,Sm_2O_3とSiO_2~共ドープSnO_2~-Zn_2SnO_4複合セラミックスはキャパシタ-バリスタ機能デバイスの製造のための実行可能な候補であることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気特性 ,  *セラミック ,  コンデンサ ,  結晶成長 ,  *ドーピング ,  誘電性 ,  コンダクタンス ,  *サマリウム ,  *バリスタ ,  X線回折 ,  *微細構造 ,  活性化エネルギー ,  結晶粒界 ,  機能素子 ,  偏析

著者キーワード (3件)： Varistors ,  エレクトロセラミック ,  誘電特性

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドープ ,  セラミック ,  バリスタ ,  微細構造 ,  電気的性質