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J-GLOBAL ID：201702214273318341   整理番号：17A0143939

低と高出力マイクロ波トランジスタの非線形モデリング【Powered by NICT】

Non-linear modeling for low and high power microwave transistors

著者 (2件)： Rafael-Valdivia Guillermo (Universidad La Salle., Arequipa, Peru) ,  Su Zhiguo (Alcatel Lucent Shangai Bell, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EuMC  ページ： 847-850  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロ波トランジスタに対する非線形モデルを実現するための改良された方法は,GaAs,GaN及びLDMOSデバイスに対して示された。周波数分散を予測するために従来のドレイン電流関数と従来の等価回路を可能にするそれらの能力を増強する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *マイクロ波トランジスタ ,  ヒ化ガリウム ,  窒化ガリウム ,  等価回路 ,  周波数分散 ,  非線形モデル ,  *非線形モデリング ,  *高出力
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  LDMOS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高出力マイクロ波 ,  トランジスタ ,  非線形モデリング