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J-GLOBAL ID：201702214789299431   整理番号：17A0323815

光起電力応用のための新しい超低バンドギャップthiadiazolequinoxalineベースD-A共重合体【Powered by NICT】

New ultra low bandgap thiadiazolequinoxaline-based D-A copolymers for photovoltaic applications

著者 (9件)： Keshtov M.L. (Institute of Organoelement Compounds of the Russian Academy of Sciences, Vavilova St., 28, Moscow 119991, Russian Federation) ,  Kuklin S.A. (Institute of Organoelement Compounds of the Russian Academy of Sciences, Vavilova St., 28, Moscow 119991, Russian Federation) ,  Konstantinov I.O. (Institute of Organoelement Compounds of the Russian Academy of Sciences, Vavilova St., 28, Moscow 119991, Russian Federation) ,  Ostapov I.E. (Institute of Organoelement Compounds of the Russian Academy of Sciences, Vavilova St., 28, Moscow 119991, Russian Federation) ,  Topchiy M.A. (Institute of Organoelement Compounds of the Russian Academy of Sciences, Vavilova St., 28, Moscow 119991, Russian Federation) ,  Khokhlov A.R. (Institute of Organoelement Compounds of the Russian Academy of Sciences, Vavilova St., 28, Moscow 119991, Russian Federation) ,  Koukaras E.N. (Nanotechnology and Advanced Materials Laboratory, Department of Chemical Engineering, University of Patras, Patras 26500 GR, Greece) ,  Koukaras E.N. (Molecular Engineering Laboratory, Department of Physics, University of Patras, Patras 26500 GR, Greece) ,  Sharma Ganesh D. (Department of Physics, The LNM Institute of Information Technology, Jamdoli, Jaipur 302031, Rajasthan, India)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 37  ページ： 411-420  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本コミュニケーションでは,著者らは受容体と異なるドナーユニットベンゾ[2,1-b;3,4-b′]ジチオフェン(P1)とベンゾ[1,2-b:4,5-b′]ジチオフェン(P2)と同じふっ素化チアジアゾロキノキサリン(TDQ)を用いた二種類の低バンドギャップD-A共重合体を設計した。P1およびP2は1.06eVと1.18eVの光学バンドギャップをもつ350nmから1150nmと350 950nmをカバーする広い吸収プロファイルをそれぞれ示した。双方の共重合体は,P1とP2の,すなわち 5.38eVと 5.26eV,深い最高被占分子軌道(HOMO)を示した。それらの光起電力特性をITO/PEDOTの構造を有する従来のデバイスを用いて評価した:PSS/共重合体:PC_71BM/Alである。共重合体にPC_71BM重量比,および溶媒添加剤(DIO)の濃度の最適化後に,この素子は,P1とP2をベースにした素子のための全体的な電力変換効率4.03%と5.42%であった。P2ベース素子のPCEのより高い値は,J_scとFFの高い値であり,高い正孔移動度と良好な励起子解離効率に関連することに起因する。これらのデバイスのPCEは中程度であるが,これらの極低バンドギャップ共重合体はタンデム高分子太陽電池におけるそれらの潜在的応用に用いることができる。最後に,活性層のメタノール処理は6.93%まで改善されたPCEをもたらすことをP2:PC_71BMベースの高分子太陽電池のPCEを増加させるために採用した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 励起子 ,  光学ギャップ ,  最適化 ,  直列接続 ,  *共重合体 ,  HOMO ,  *光起電力 ,  フッ素化 ,  活性層 ,  添加剤 ,  *バンドギャップ ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： 高分子太陽電池 ,  正孔移動度 ,  電力変換効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 超低バンドギャップ共重合体 ,  バルクヘテロ接合高分子太陽電池 ,  電力変換効率 ,  溶媒添加剤

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (1件)： メタノール

タイトルに関連する用語 (4件)： 光起電力 ,  応用 ,  バンドギャップ ,  共重合体