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J-GLOBAL ID：201702215283841354   整理番号：17A0055439

の擬鉛直GaNベースのトレンチゲート金属酸化物半導体電界効果トランジスタ【Powered by NICT】

Pseudo-vertical GaN-based trench gate metal oxide semiconductor field effect transistor

著者 (10件)： Hentschel Rico (Namlab gGmbH, 01187 Dresden, Germany) ,  Wachowiak Andre (Namlab gGmbH, 01187 Dresden, Germany) ,  Groser Andreas (Namlab gGmbH, 01187 Dresden, Germany) ,  Jahn Andreas (Institute of Semiconductors and Microsystems, TU Dresden, 01187 Dresden, Germany) ,  Merkel Ulrich (Institute of Semiconductors and Microsystems, TU Dresden, 01187 Dresden, Germany) ,  Wille Ada (GaN Device Technology, RWTH Aachen University, 52074 Aachen, Germany) ,  Kalisch Holger (GaN Device Technology, RWTH Aachen University, 52074 Aachen, Germany) ,  Vescan Andrei (GaN Device Technology, RWTH Aachen University, 52074 Aachen, Germany) ,  Schmult Stefan (Institute of Semiconductors and Microsystems, TU Dresden, 01187 Dresden, Germany) ,  Mikolajick Thomas (Namlab gGmbH, 01187 Dresden, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ASDAM  ページ： 5-8  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エンハンスメントモードnチャネル擬縦GaN金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の作製と特性評価,高k誘電体被覆トレンチゲートとトップ側ドレイン接触を利用したについて報告した。処理技術はGaNバルク材料に真に垂直MOSFETに容易に移転可能であるために開発された,高電圧電力スイッチング応用のための標的である。デバイス機能性は大きさと明確なノーマリーオフ動作の6桁の優れたオン/オフ電流比をもつ線形伝達特性により実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電力 ,  キャラクタリゼーション ,  *半導体 ,  *酸化物 ,  線形性 ,  *FET【トランジスタ】 ,  MOSFET ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： 伝達特性 ,  オフ電流 ,  ノーマリーオフ ,  機能性 ,  高k誘電体 ,  エンハンスメントモード ,  *トレンチゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 鉛直 ,  GaN ,  トレンチゲート ,  金属酸化物半導体 ,  電界効果トランジスタ