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J-GLOBAL ID：201702215335397807   整理番号：17A0702648

エッチングに基づく製造互換プロセスで作製したカーボンナノチューブ薄膜トランジスタ【Powered by NICT】

Carbon nanotube thin film transistors fabricated by an etching based manufacturing compatible process

著者 (8件)： Tian Boyuan (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Department of Electronics, Peking University, Beijing 100871, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Liang Xuelei ,  Xia Jiye ,  Zhang Han ,  Dong Guodong ,  Huang Qi ,  Peng Lianmao ,  Xie Sishen
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 13  ページ： 4388-4396  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カーボンナノチューブ薄膜トランジスタ(CNT TFTs)は,現在商品化されているTFT技術への強い競争者と見なされてきた。大きな進展が最近達成されているが,CNT TFT研究では,実験室研究の段階にある。商業化CNT TFT技術のための一つの重要な課題は,一般的に使用されるデバイス作製法はリフトオフベースプロセス,大量生産には適していないであることである。本論文では,CNTのエッチングに基づく作製プロセスは完全に製造互換性を報告した。このプロセスでは,CNT薄膜チャネルはドライエッチングによりパターン形成した,湿式エッチングは,金属と絶縁体の層をパターニングするための使用した。CNT TFTは,低Schottky障壁接触とかなり一様な性能をもつトップ-ゲートおよび埋込みゲートの両形状における,4インチウエハ上に作製することに成功した。高出力電流(>1.2 μA μm~ 1),高いオン/オフ電流比(>10~5)と高移動度(>30 cm~2 V~ 1 s~ 1)が得られた。作製プロセスは最適化する必要があるが,エッチング作製プロセスに関する著者らの研究は,CNT TFT技術を近い将来に実際の応用に向けての一歩前進と信じている。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： パターン形成 ,  商品化 ,  電流 ,  *薄膜 ,  *エッチング ,  最適化 ,  ウェットエッチング ,  商業化 ,  チャネル ,  *カーボンナノチューブ ,  大量生産 ,  ドライエッチング ,  *薄膜トランジスタ ,  Schottky障壁 ,  互換性

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： エッチング ,  プロセス ,  作製 ,  カーボンナノチューブ ,  薄膜トランジスタ