文献

J-GLOBAL ID：201702215340901297   整理番号：17A0757244

TSV技術を用いた高帯域幅メモリ(HBM)【Powered by NICT】

High bandwidth memory(HBM) with TSV technique

著者 (19件)： Lee Jong Chern (HBM Design Team, SK Hynix Inc., Icheon, Gyeong-gi, South Korea) ,  Kim Jihwan (HBM Design Team, SK Hynix Inc., Icheon, Gyeong-gi, South Korea) ,  Kim Kyung Whan (HBM Design Team, SK Hynix Inc., Icheon, Gyeong-gi, South Korea) ,  Ku Young Jun (HBM Design Team, SK Hynix Inc., Icheon, Gyeong-gi, South Korea) ,  Kim Dae Suk (HBM Design Team, SK Hynix Inc., Icheon, Gyeong-gi, South Korea) ,  Jeong Chunseok (HBM Design Team, SK Hynix Inc., Icheon, Gyeong-gi, South Korea) ,  Yun Tae Sik (HBM Design Team, SK Hynix Inc., Icheon, Gyeong-gi, South Korea) ,  Kim Hongjung (HBM Design Team, SK Hynix Inc., Icheon, Gyeong-gi, South Korea) ,  Cho Ho Sung (HBM Design Team, SK Hynix Inc., Icheon, Gyeong-gi, South Korea) ,  Oh Sangmuk (HBM Design Team, SK Hynix Inc., Icheon, Gyeong-gi, South Korea) ,  Lee Hyun Sung (HBM Design Team, SK Hynix Inc., Icheon, Gyeong-gi, South Korea) ,  Kwon Ki Hun (HBM Design Team, SK Hynix Inc., Icheon, Gyeong-gi, South Korea) ,  Lee Dong Beom (HBM Design Team, SK Hynix Inc., Icheon, Gyeong-gi, South Korea) ,  Choi Young Jae (HBM Design Team, SK Hynix Inc., Icheon, Gyeong-gi, South Korea) ,  Lee Jaejin (HBM Design Team, SK Hynix Inc., Icheon, Gyeong-gi, South Korea) ,  Kim Hyeon Gon (HBM Design Team, SK Hynix Inc., Icheon, Gyeong-gi, South Korea) ,  Chun Jun Hyun (HBM Design Team, SK Hynix Inc., Icheon, Gyeong-gi, South Korea) ,  Oh Jonghoon (HBM Design Team, SK Hynix Inc., Icheon, Gyeong-gi, South Korea) ,  Lee Seok Hee (HBM Design Team, SK Hynix Inc., Icheon, Gyeong-gi, South Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ISOCC  ページ： 181-182  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,TSV技術を用いたHBM DRAMを紹介した。本論文では,TSV構造,TSV信頼性,TSV開放/短絡試験,TSV修復のような一般的なTSV特徴と技術をカバーしている。また,TSVを用いた代表的なDRAM製品,HBM DRAMを示し,特に利用特徴とされている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 信頼性 ,  *帯域幅 ,  *記憶装置 ,  DRAM

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  プリント回路  (NA05040O)

タイトルに関連する用語 (3件)： TSV ,  高帯域幅 ,  HBM