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J-GLOBAL ID：201702215999868052   整理番号：17A0829746

2次元van der Waals g C_2N/XSe_2(X=Mo, W)ヘテロ構造における電場調整可能な電子構造【Powered by NICT】

Electric field tunable electronic structure in two dimensional van der Waals g-C₂N/XSe₂(X = Mo, W) heterostructures

著者 (3件)： Zheng Zhida (Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communicate Devices, School of Electronics Information Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China) ,  Wang Xiaocha (Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communicate Devices, School of Electronics Information Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China) ,  Mi Wenbo (Tianjin Key Laboratory of Low Dimensional Materials Physics and Preparation Technology, School of Science, Tianjin University, Tianjin 300354, China)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 117  ページ： 393-398  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： g C_2N/XSe_2(X=Mo, W)ヘテロ構造の電子構造に及ぼす電場効果を,第一原理計算によって研究した。g C_2N/MoSe_2ヘテロ構造は 0.1~0.3V/Aからの電場で間接半導体である。バンドギャップは0.66,0.54,0.45,0.39~0.34eVであり,これは電場とともに直線的に変化する。K点で最大スピン分裂は188meVである。g C_2N/WSe_2ヘテロ構造は 0.1及び0v/Åの電場で間接半導体である。0.1~0.3V/A電場では,Fermi準位における価電子帯を持つヘテロ構造はp型半導体で,バンドギャップは0.32,0.26,0.19,0.12と0.06eVであるとK点で最大スピン分裂は444meVであった。さらに,Fermi準位近傍の伝導帯は主に単分子層g C_2Nに由来するが,価電子帯はXSe_2に由来する。著者らの結果は,スピントロニクスと電界効果デバイスにおける潜在的応用に非常に重要な情報をもたらすことができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 価電子バンド ,  *電子構造 ,  バンドギャップ ,  *二次元 ,  伝導バンド ,  電場効果 ,  単分子層 ,  Fermi準位 ,  *電場 ,  スピントロニクス ,  半導体
準シソーラス用語： 電界効果デバイス ,  スピン分裂 ,  第一原理計算 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2次元半導体 ,  g C_2N ,  遷移金属二カルコゲン化物 ,  電場 ,  スピン分裂

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 2次元 ,  VAN ,  ヘテロ構造 ,  電場 ,  電子構造