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J-GLOBAL ID：201702216107680476   整理番号：17A0375125

動作温度と障壁長の依存性を持つ三重障壁GaAs/AlGaAs滞留時間分布(RTD)の電気的特性評価【Powered by NICT】

Electrical characterization of triple barrier GaAs/AlGaAs RTD with dependence of operating temperature and barrier lengths

著者 (2件)： Singh Man Mohan (Aligarh Muslim University, Aligarh, UP 202002, India) ,  Siddiqui M.J. (Aligarh Muslim University, Aligarh, UP 202002, India)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 58  ページ： 89-95  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,三重障壁共鳴トンネルダイオード(TBRTD)のモデルを提示し,デバイスの構造パラメータを変化させることに関連する運転温度と障壁長の電気的性質とそれらの依存性を特性化した。本論文では,デバイスの電流密度に及ぼすドーピング濃度の潜在的影響を実証した。さらに,局所状態密度(LDOS)と種々の動作温度で透過係数を解析した。弾道限界内で非平衡Green関数のLandauer-Buttiker形式に基づいて,量子トンネル機構の結果は,2nm三重障壁構造をもつ高ピーク電流を示し,他の障壁構造に比べて谷比に対して高いピークを達成した。注目すべきことに,比較は,提案されたデバイス構造の間のより優れたデバイスを解析するのに役立つ。デバイスのシミュレーションは,この研究で示した種々の結果を確認するNextnano3ツールの利用を行った。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電気的性質 ,  キャラクタリゼーション ,  *ヒ化ガリウム ,  共鳴トンネルダイオード ,  電流密度 ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  構造パラメータ ,  素子構造 ,  透過率
準シソーラス用語： ピーク電流 ,  非平衡Green関数 ,  局所状態密度 ,  運転温度 ,  *滞留時間分布 ,  *動作温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 三重障壁 ,  LDOS ,  共鳴トンネルダイオード ,  透過係数 ,  ヘテロ構造

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (9件)： 動作温度 ,  障壁 ,  依存性 ,  三重 ,  GaAs ,  AlGaAs ,  滞留時間分布 ,  電気的特性 ,  評価