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J-GLOBAL ID：201702216359235481   整理番号：17A0754689

微細構造の調整とアルミニウムをドープした酸化亜鉛変化銃傾斜のオプトエレクトロニクス特性【Powered by NICT】

Tailoring of microstructure and optoelectronic properties of Aluminum doped Zinc Oxide changing gun tilt

著者 (4件)： Fernandez S. (CIEMAT, Departamento de Energias Renovables, Madrid. Spain) ,  Grandal J. (Paul-Drude Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz, 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Trampert A. (Paul-Drude Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz, 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Naranjo F.B. (Grupo de Ingenieria Fotonica, Universidad de Alcala, Departamento de Electronica, Alcala de Henares, Madrid, Spain)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 63  ページ： 115-121  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnOの微細構造と光電子特性に及ぼす銃傾斜の影響:Alマグネトロンスパッタリング透明ガラス基板上に堆積した薄膜を研究した。構造的及び形態的特性はスパッタリングシステム内の共焦点幾何学配置中に設置されたカソード角に従って調べた。X線回折(XRD)と原子間力顕微鏡(A FM)を用いて,であった。膜の微細構造を高分解能透過型電子顕微鏡(HR TEM)により分析した。結果は,銃傾斜,デバイス性能に影響することができるという事実に依存してAZO膜特性における関連した変化を示した。銃傾斜が減少すると可視領域およびより悪い電気的性質の低い平均透過値と粗いAZO表面が観察された。オプトエレクトロニクスデバイスに適した電極を設計する場合にこれらの強い依存性は重要な側面として考えることができる。この意味で,幾何学的蒸着システム配置の関数としてのAZO膜特性を調整する能力を評価した。この手法により,同一原料さまざまなオプトエレクトロニック性質がに基づく被覆を作製可能にするであろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *微細構造 ,  X線回折 ,  *オプトエレクトロニクス ,  電気的性質 ,  *アルミニウム ,  原子間力顕微鏡 ,  光電子 ,  幾何学 ,  *ドーピング ,  マグネトロンスパッタリング
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  可視領域 ,  HRTEM ,  ガラス基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 微細構造 ,  アルミニウム ,  ドープ ,  酸化亜鉛 ,  銃 ,  オプトエレクトロニクス