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J-GLOBAL ID:201702216579613941   整理番号:17A0216461

TiN1-x-AlN複合材料におけるAlN析出物およびエピタキシャル界面の反応生成

Reactive formation of AlN precipitates and epitaxial interface in TiN1-x-AlN composites
著者 (6件):
資料名:
巻: 125  号:ページ: 46-49(J-STAGE)  発行年: 2017年 
JST資料番号: U0409A  ISSN: 1348-6535  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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1400~1600°Cにおける粉末焼結窒素欠損TiN1-x-AlN複合材料中のAlN析出物の分散を観察した。AlNナノ析出物は,TiN1-x-AlNとのエピタキシャル界面に存在していた。TiN1-x/AlN拡散対の界面における相生成および化学組成から,焼結中にAlN分解が生じ,TiN1-x中にN原子が拡散して化学量論TiNが生成し,TiNを横切って拡散した原子によりTiN1-x中のAlNの析出が増加したことが分かった。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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セラミック・陶磁器の製造  ,  セラミック・磁器の性質 
引用文献 (16件):
  • 1) A. Shamsipur, S. F. Kashani-Bozorg and A. Z. Hanzaki, Surf. Coat. Tech., 218, 62–70 (2013).
  • 2) C. Y. Tian and N. Liu, Adv. Appl. Ceramics, 110, 205–210 (2011).
  • 3) J. Russias, S. Cardinal, J. Fontaine, G. Fantozzi, C. Esnouf and K. Bienvenu, Int. J. Refract. Met. Hard Mater., 23, 344–349 (2005).
  • 4) Y. S. Han, K. B. Kalmykov, S. F. Dunaev and A. I. Zaitsev, J. Phase Equilibria Diffus., 25, 427–436 (2004).
  • 5) J. C. Schuster and J. Bauer, J. Solid State Chem., 53, 260–265 (1984).
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