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J-GLOBAL ID：201702216779970178   整理番号：17A0729579

INGAAS被覆層を有するINAS量子ドット赤外検出器の発光と光電応答を調べた。【JST・京大機械翻訳】

InAs Quantum Dots with InGaAs Caplayer Infrared Detector Grown by MBE

著者 (8件)： WU Dian-zhong (Department of Physics, Capital Normal University) ,  WANG Wen-xin (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  YANG Cheng-liang (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  JIANG Zhong-wei (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  GAO Han-chao (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  TIAN Hai-tao (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  CHEN Hong (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  JIANG Hong-wei (Department of Physics, Capital Normal University)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 30  号： 2  ページ： 209-213  発行年： 2009年04月 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： GAAS(001)基板上に異なる分子量のINAS量子ドットを自己組織化成長させ,量子ドット赤外検出器を作製した。原子間力顕微鏡(AFM)と光ルミネセンス(PL)スペクトルを用いて、量子ドットの表面構造、形態と光学的性質を研究した。インボリュート層の挿入は,INAS量子ドットの応力を効果的に解放し,量子ドット中のIN成分の偏析を抑制し,エピタキシャル層の成長品質を高め,障壁高さを低下させ,INAS量子ドットの蛍光波長を赤方偏移させた。ボルタンメトリー特性曲線と光電流(PC)スペクトルの結果により、成長条件の最適化はデバイスの赤外応答を向上させ、成分が徐々に変化したINGAAS層の検出器の応答波長は明らかに赤方偏移することが分かった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光学的性質 ,  光電流 ,  光ルミネセンス ,  *被覆層 ,  赤方偏移 ,  スペクトル ,  *量子ドット ,  偏析 ,  自己組織化 ,  最適化 ,  表面構造 ,  *赤外検出器 ,  特性曲線 ,  原子間力顕微鏡 ,  波長

著者キーワード (5件)： InAs quantum dots ,  InGaAs graded component layer ,  photoluminescence ,  molecular beam epitaxy ,  infrared detector device

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaAs ,  被覆層 ,  InAs量子ドット ,  赤外検出器 ,  光電 ,  応答