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J-GLOBAL ID:201702217043102041   整理番号:17A0280235

スーパーキャパシタ用のニッケル板上のふっ化物イオンを含まないニッケル基化合物膜のその場2段階電気化学的調製【Powered by NICT】

In situ two-step electrochemical preparation of fluoride-free nickel-based compound film on nickel plate for supercapacitors
著者 (7件):
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巻: 35  号: 12  ページ: 930-936  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2573A  ISSN: 1001-0521  CODEN: RARME8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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ニッケル基化合物層がNH_4Fを含む75wt%H_3PO_4溶液中での陽極酸化によりニッケル板上に作製した。ブラック外側層は剥離し,スーパーキャパシタのためのバインダーフリー電極材料としてニッケル板上の膜が残ったまでこの層は,定電流充放電(GCD)によって処理した。微細構造のキャラクタリゼーションは,膜がNi(OH)2およびNiOからなることを示していると,フッ化物は得られたままの膜では見られない。電気化学的試験は,このフッ化物フリー膜電極は,7.5Ag ( 1),優れたレート能(120Ag( 1)への電流密度の増加と共に19.5%の静電容量減少)とサイクル安定性で954Fg ( 1)の高い静電容量を示した。3500サイクル内で,比静電容量は低下せず,むしろ60Ag( 1)で最初の100サイクルで840Fg ( 1)約1092Fg~( 1)増加し,安定している前述の層が分離した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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静電機器 

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