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J-GLOBAL ID：201702217086202219   整理番号：17A0666308

高速と高感度InPベース単一走行キャリアフォトダイオード【Powered by NICT】

High-Speed and High-Responsivity InP-Based Uni-Traveling-Carrier Photodiodes

著者 (6件)： Meng Qianqian (Temasek Laboratories@NTU, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Wang Hong (Temasek Laboratories@NTU, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Liu Chongyang (Temasek Laboratories@NTU, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Guo Xin (Temasek Laboratories@NTU, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Gao Jianjun (School of Information Science and Technology, East China Normal University, Shanghai, China) ,  Ang Kian Siong (Temasek Laboratories@NTU, Nanyang Technological University, Singapore)
資料名： IEEE Journal of the Electron Devices Society  (IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 5  号： 1  ページ： 40-44  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2429A  ISSN： 2168-6734  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高速・高応答性の両方を同時に達成する双極子ドープ構造をもつ上面照射InPベース単一走行キャリアフォトダイオード(UTC PDs)が報告されている。デバイスサイズと層構造の最適化により,双極子ドープしたUTC-PDは40GHz以上の測定された光学-電気3dB帯域幅と光入力パワー100mWで0.6A/Wの最大応答を示した。半解析的等価回路モデルを用いることにより,3dB帯域幅は103GHzであると予測された。この高い3dB帯域幅と応答性は61.8A/Wの高い性能指数値を得た。GHz。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドーピング ,  *高速度 ,  性能指数 ,  応答特性 ,  最適化 ,  *高感度 ,  双極子 ,  帯域幅 ,  *リン化インジウム
準シソーラス用語： 等価回路モデル ,  層構造 ,  *UTC-PD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 音声処理  (JE05000E) ,  電話  (ND11030P) ,  無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高感度 ,  InP ,  単一走行キャリアフォトダイオード