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J-GLOBAL ID：201702217184152329   整理番号：17A0357650

60NM T 形F_T & F_(MAX)は170 & 210 GHZのINALN/GAN HFETS 件である。【JST・京大機械翻訳】

60 nm T-shaped-gate InAlN/GaN HFETs with f_T & f_(max) of 170 & 210 GHz

著者 (9件)： Lv Yuanjie (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Feng Zhihong (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Zhang Zhirong (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Song Xubo (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Tan Xin (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Guo Hongyu (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Yin Jiayun (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Fang Yulong (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Cai Shujun (Hebei Semiconductor Research Institute)
資料名： Hongwai yu Haomibo Xuebao  (Hongwai yu Haomibo Xuebao)
巻： 35  号： 6  ページ： 641-645  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0174C  ISSN： 1001-9014  CODEN： HHXUEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電流利得遮断周波数(F_T)と最大振動周波数(F_(MAX))を有するIN-ALN/GANヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFETS)を,サファイア基板上に作製した。再成長N+GAN オーム接触プロセスに基づいて,デバイスのサイズを縮小し,有効距離(L_(SD))を600NMに縮小した。さらに,60NMのTを,自対准Zhaプロセスによって調製した。デバイスのサイズの縮小により、V_(GS)=1Vの場合、デバイスの最大飽和電流(I_(DS))は1に達した。89A/MM,ピーク相互コンダクタンスは462MS/MMに達した。小信号試験結果により,F_TおよびF_(MAX)は,それぞれ170GHZおよび210GHZであり,そして,この周波数特性は,国/GAN HFETSの周波数の最高値であった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *周波数 ,  振動数 ,  相互コンダクタンス ,  ヘテロ接合 ,  Ohm接触 ,  遮断周波数 ,  周波数特性 ,  FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： 飽和電流 ,  再成長 ,  サファイア基板 ,  電流利得 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： InAlN /GaN ,  heterostructure field-effect transistors(HFET) ,  unity current gain cut-off frequency(f_T) ,  maximum oscillation frequency(f_(max))

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 形 ,  Max ,  GHz ,  InAlN ,  GaN