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J-GLOBAL ID：201702217280789362   整理番号：17A0705498

効率白色発光ダイオードのための自由不活性ガス保護,低温,CdSの非注入合成およびドープした量子ドット【Powered by NICT】

Free inert gas protection, low temperature, non-injection synthesis of CdS and doped quantum dots for efficient white light-emitting diodes

著者 (8件)： Ding Yang (Education Ministry Key Lab of Resource Chemistry and Shanghai Key Laboratory of Rare Earth Functional Materials, Department of Chemistry, Shanghai Normal University, Shanghai 200234, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Liu Jie ,  Zhu Yan ,  Nie Siyang ,  Shi Junli ,  Wang Weili ,  Hou Junhan ,  Yu Xibin
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 13  ページ： 3276-3282  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カドミウムベースカルコゲン化物(CdS, CdSe, CdTe)量子ドット超高光ルミネセンス(PL),量子収率(QY)と多色発光を示した。しかし,通常の合成は高温,不活性ガス保護,局所注入操作,深刻な応用を阻害するが必要である。,CdSQDと一連の低温合成(30 80 °C)を用いて金属イオンをドープしたQDを合成した。合成は過飽和再結晶に従って設計した。を空気雰囲気下で,DMF溶液中,不活性ガス保護から自由であり,非注入操作を用いた。得られたQDは強いおよび安定な発光を示した。単分散,均一な形態と良好な結晶性を有していた。合成温度が増加すると,CdS QDsの発光中心は500nmから550nmにシフトした。CdS基板中にドープされた金属イオンは深い準位を形成する。発光エネルギーは減少し,発光中心は長波長側にシフトした。520nm,534nm,540nm,578nmと625nmでの発光ピークは,Sn~2+,Sb~3+,Ni~2+,Mn~2+およびCu~2+をドープしたCdS QDにそれぞれ対応する。増加した合成温度もまた発光ピークの赤方偏移をもたらした。調整可能な光学的性質と大規模生産への適合性を照明のための有望な可能性を持つ金属イオンをドープしたCdS QDを,高いCRI値を用いた白色発光ダイオードによって実証された,電力効率および良好な安定性を示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *発光 ,  *硫化カドミウム ,  赤方偏移 ,  セレン化カドミウム ,  発光中心 ,  *ドーピング ,  光学的性質 ,  光ルミネセンス ,  *不活性ガス ,  *量子ドット ,  量子収量 ,  *低温 ,  金属イオン ,  結晶度
準シソーラス用語： *白色LED , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 発光素子  (NC03082G) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  塩  (CD01050V) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 白色発光ダイオード ,  不活性ガス ,  低温 ,  CdS ,  注入 ,  ドープ ,  量子ドット