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J-GLOBAL ID：201702217299860472   整理番号：17A0398773

室温で分離された小さいタングステンクラスタによるN_2の活性化【Powered by NICT】

Activation of N₂ by isolated small tungsten clusters at room temperature

著者 (4件)： Sugawara Ko-ichi (Department of Materials and Chemistry, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba 305-8560, Japan) ,  Yamaguchi Wataru (Magnetic Powder Metallurgy Research Center (MagMet), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 2266-98 Anagahora, Shimoshidami, Moriyama-ku, Nagoya 463-8560, Japan) ,  Shimoi Yukihiro (Research Center for Computational Design of Advanced Functional Materials, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba 305-8568, Japan) ,  Murakami Junichi (Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, 255 Shimo-Okubo, Sakura-ku, Saitama City, 338-8570, Japan)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 667  ページ： 267-271  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： おそらくN_2Oを,気相タングステンクラスタW_n~+(n=3 5)に及ぼすH_2OとN_2の反応を室温で観測した。N_2活性化の異なるクラスタサイズ依存性が見出された:N_2はW_3~+による程度よりはるかに大きな程度までW_4~+とW_5~+により活性化される。N_2活性化はクラスタに対する橋かけ吸着構造により可能になった。注目すべき観察は,バルク金属表面上に低温でのみ存在することを,このような活性化N_2吸着状態はタングステンクラスタ上に室温で生き残ることを見出した。これはクラスタにN_2に対して高い解離障壁によるものであった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *クラスタ ,  低温 ,  吸着 ,  気相
準シソーラス用語： 金属表面 ,  吸着構造 ,  サイズ依存性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： タングステンクラスタ ,  N_2活性化 ,  解離障壁

分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  貴金属触媒  (CB06122I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 室温 ,  タングステン ,  クラスタ ,  活性化