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J-GLOBAL ID：201702217304624528   整理番号：17A0775949

高電圧ドレイン拡大MOSトランジスタのシリサイドブロック膜効果【Powered by NICT】

Silicide-block-film effects on high voltage drain-extended MOS transistors

著者 (9件)： Wang Lei (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Gao Chao (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Bo (Grace Semiconductor Manufacturing Corporation) ,  Hu Jian (Grace Semiconductor Manufacturing Corporation) ,  Lee Po (Grace Semiconductor Manufacturing Corporation) ,  Ju Xiaohua (Grace Semiconductor Manufacturing Corporation) ,  Zhang Meili (Grace Semiconductor Manufacturing Corporation) ,  Li Wenjun (Grace Semiconductor Manufacturing Corporation) ,  Yang Steve (Grace Semiconductor Manufacturing Corporation)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 30  号： 3  ページ： 52-55  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドレイン拡大MOS(DEMOS)トランジスタのシリサイドブロック膜効果を比較検討し,異なる膜スタック化学量論SiO2とシリコンリッチ酸化物(SRO)を用いた。堆積したままの膜の電気的特性を,ソース/ドレイン直列抵抗を抽出することにより評価した。ブロック膜はフィールドプレート下電場に顕著な影響を及ぼすような役割を果たすことが分かった。デバイスのホットcartier注入(H CI)誘起劣化と同様に,最初に製造プロセスにおける荷電ブロック膜も強くデバイス特性に影響を及ぼし,安全動作領域を制限する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化物 ,  *MOSFET ,  電気的性質 ,  生産工程 ,  *トランジスタ ,  電荷 ,  化学量論 ,  電場
準シソーラス用語： 安全動作領域 ,  デバイス特性 ,  フィールドプレート ,  直列抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： DEMOS ,  シリサイドブロック膜 ,  フィールドプレート

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高電圧 ,  ドレイン ,  拡大 ,  MOSトランジスタ ,  シリサイド