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J-GLOBAL ID：201702217510647622   整理番号：17A0323767

1,5-ジクロロ-9,10-dintiro-アントラセン受容体により増強されたBTBT有機薄膜トランジスタを用いた迅速なUV-A光検出【Powered by NICT】

Rapid UV-A photo detection using a BTBT organic thin-film transistor enhanced by a 1,5-dichloro-9,10-dintiro-anthracene acceptor

著者 (5件)： Smithson C.S. (Xerox Research Centre of Canada, 2660 Speakman Drive, Mississauga, Ontario, L5K 2L1, Canada) ,  Smithson C.S. (Department of Chemical Engineering, McMaster University, Hamilton, Ontario, LS8 4L8, Canada) ,  Ljubic D. (Department of Chemical Engineering, McMaster University, Hamilton, Ontario, LS8 4L8, Canada) ,  Wu Y. (Xerox Research Centre of Canada, 2660 Speakman Drive, Mississauga, Ontario, L5K 2L1, Canada) ,  Zhu S. (Department of Chemical Engineering, McMaster University, Hamilton, Ontario, LS8 4L8, Canada)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 37  ページ： 42-46  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： UV-A高感度フォトトランジスタ光異性化可能ではない有機半導体2,7 ジペンチル[1]ベンゾチエノ[3,2 b][1] ベンゾチオフェン(C5BTBT)と強い電子受容体1,5-ジクロロ-9,10-dintiro-アントラセン(2Cl 2NO_2~-Anth)を用いて実証した。0ゲートバイアスにおいて,この素子の光応答性は入射パワーP_=1mW/cm~2で飽和し始め,P>10~5の光電流対暗電流比(P)は9A/Wの光応答性が観測された。光応答性はPの減少と共に増加し,P_=0.0427mW/cm~2で40A/Wに達した。P>10~5による持続性光電流は2時間以上で観察され,書換可能光メモリのための利用可能性を実証した。各第二のデータ点は 90Vのリセットパルスから成るゲート電圧プログラムを適用することにより,素子は600msの時間スケールでのUVセンサまたはスイッチとして動作する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 暗電流 ,  高感度 ,  *光検出 ,  フォトトランジスタ ,  光学メモリ ,  有機半導体 ,  *受容体 ,  光電流 ,  光異性化 ,  アクセプタ
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  光応答 ,  ゲートバイアス ,  *UV-A ,  *有機薄膜トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 有機薄膜トランジスタ ,  光応答性 ,  ベンゾチオフェン半導体 ,  電子受容体

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： アントラセン ,  受容体 ,  増強 ,  有機薄膜トランジスタ ,  UV-A ,  光検出