文献

J-GLOBAL ID：201702217539225444   整理番号：17A0885743

垂直GaN電力ダイオードの接合終端拡張のシミュレーション【Powered by NICT】

Simulations of Junction Termination Extensions in Vertical GaN Power Diodes

著者 (6件)： Wierer Jonathan J. (Department of Electrical and Computer Engineering, Center for Photonics and Nanoelectronics, Lehigh University, Bethlehem, PA, USA) ,  Dickerson Jeramy R. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Allerman Andrew A. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Armstrong Andrew M. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Crawford Mary H. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA) ,  Kaplar Robert J. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 5  ページ： 2291-2297  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 接合終端拡張(JTEs)を持つGaN電力ダイオードの逆破壊挙動のシミュレーションを提示した。p型JTEは主p-n接合の端部に位置し,逆バイアス下では,JTEの電荷は早期アバランシェ降伏を避けるためにピーク電場の広がりと減少を引き起こす。JTEで利用可能な電荷を決定するために,逆バイアス下での電場はMgアクセプタのJTEと完全イオン化内の重篤なバンドの曲がりを引き起こすことを示した。したがって,すべてのMgドーパントが寄与する電荷とJTEの性能を決定した。JTEのアクセプタ濃度と厚さに破壊電圧の依存性を示した。JTEを適切に設計する場合,シミュレーションは平面構造のための理想的な限界の98%に近い改善された逆方向破壊挙動と破壊効率を示した。最後に,GaN電力ダイオード内JTEs形成への挑戦を議論した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： アクセプタ ,  *窒化ガリウム ,  平面構造 ,  イオン化 ,  電場 ,  ドーパント ,  マグネシウム
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  アバランシェ降伏 ,  逆バイアス ,  破壊挙動 ,  *電力ダイオード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 垂直 ,  GaN ,  電力ダイオード ,  終端 ,  拡張 ,  シミュレーション