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J-GLOBAL ID：201702217782322601   整理番号：17A0704635

Pt/BiFeO-3Nbにおける抵抗スイッチングと関連した磁化スイッチング:SrTiO_3ヘテロ構造【Powered by NICT】

Resistive switching and related magnetization switching in Pt/BiFeO₃/Nb:SrTiO₃ heterostructures

著者 (10件)： Zhao Meng (School of Information Engineer, Hubei University for Nationalities, Enshi, 445000, Hubei, P. R. China) ,  Zhu Yongdan ,  Zhang Yuan ,  Zhang Tingting ,  Qiu Da ,  Lai Guohong ,  Hu Cheng ,  Wang Qiangwen ,  Zhang Feng ,  Li Meiya
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 38  ページ： 23287-23292  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BiFeO_3(BFO)薄膜をパルスレーザ蒸着法により0.7wt%Nbドープ(001)SrTiO_3(NSTO)単結晶基板上に成長させたPt/BFO/NSTOヘテロ構造を形成した。ヘテロ構造は,最大R_off/R_on比10~5の安定なバイポーラ抵抗スイッチング挙動,保持とマルチレベル記憶特性を示した。一方,BFO膜の飽和磁化(M_s)は異なる抵抗状態に可逆的スイッチングを示した。BFO膜は高抵抗状態で高い飽和磁化を示したが,低抵抗状態での低い飽和磁化を示した。これらの抵抗と磁化スイッチング特性は,空乏領域の幅とBFO/NSTO界面での酸素空孔のマイグレーションと組み合わせた電荷捕獲と脱捕獲過程を介したポテンシャル障壁の高さに及ぼす強誘電分極反転の変調効果に起因していた。Pt/BFO/NSTOヘテロ構造は不揮発性抵抗スイッチングメモリと新しい磁気電気結合素子への応用の可能性を持つことを示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 飽和磁化 ,  薄膜 ,  単結晶 ,  捕獲 ,  *スイッチング ,  パルスレーザ蒸着 ,  ポテンシャル障壁 ,  *磁化 ,  *ニオブ ,  磁気電気効果 ,  ドーピング ,  白金
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  *ヘテロ構造 ,  *磁化スイッチング ,  *抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： Pt ,  抵抗スイッチング ,  磁化スイッチング ,  ヘテロ構造