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J-GLOBAL ID：201702217950688523   整理番号：17A0388735

Pt/Ta-2O_5/Ta抵抗スイッチングメモリにおける準オーミック接合に位置する分圧器層としての薄いTiO_x層【Powered by NICT】

Thin TiO_x layer as a voltage divider layer located at the quasi-Ohmic junction in the Pt/Ta₂O₅/Ta resistance switching memory

著者 (6件)： Li Xiang Yuan (School of Electronics Information Engineering, Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communication Devices, Tianjin University of Technology, No. 391, Binshuixi Road, Xiqing District, Tianjin, 300384, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Shao Xing Long ,  Wang Yi Chuan ,  Jiang Hao ,  Hwang Cheol Seong ,  Zhao Jin Shi
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 6  ページ： 2358-2368  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ta_2O_5は抵抗スイッチングランダムアクセスメモリ(ReRAM)のための魅力的な競争者した。この材料における抵抗スイッチング(RS)は,酸化物層,スイッチングパラメータのほとんど避けられないランダム性を伴うにおける導電性フィラメント(CF)の反復形成と破壊により誘導される。本研究では,1~2nmのTi層は10nm厚Ta_2O_5RS層,RS性能,非常に改良されたスイッチングの均一性を大幅に改善する上に堆積した。Ti金属層はTiO_x(x<2)に自然に酸化され,直列抵抗,その抵抗値はTa_2O_5RS層のオン状態抵抗と同程度であったの役割をplaid。直列抵抗TiO_xは適切な電圧partake効果,CF形成と破壊の可制御性を増加させるによるスイッチング時の電圧の悪影響(または電流)を抑制したオーバーシュートした。スイッチングサイクル耐久性は薄いTiO_x層の無い試料と比較して重篤な電流-電圧掃引試験中であっても二桁の大きさで増加した。Ti蒸着は作製プロセスになんら大きなオーバーヘッドを誘導し,プロセスを信頼性のあるReRAMの大量生産に非常に有望であるしなかった。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： オーバシュート ,  *チタン ,  *分圧器 ,  大量生産 ,  電圧 ,  耐久性 ,  *スイッチング ,  RAM【メモリ】 ,  可制御性
準シソーラス用語： オン状態 ,  直列抵抗 ,  導電性フィラメント ,  ReRAM ,  *抵抗スイッチング ,  *抵抗スイッチングメモリ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  記憶装置  (JC04060F) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： Pt ,  Ta ,  抵抗スイッチングメモリ ,  オーミック接合 ,  分圧器