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J-GLOBAL ID：201702218073813592   整理番号：17A0169216

MG_2SI/ALヘテロ接合の調製とI-V特性の研究【JST・京大機械翻訳】

Fabrication and I-V characterization of Mg_2Si/Si heterojunction

著者 (7件)： Wang Shanlan (College of Big Data and Information Engineering, Institute of Advanced Optoelectronic Materials and Technology, Guizhou University) ,  Liao Yangfang (College of Big Data and Information Engineering, Institute of Advanced Optoelectronic Materials and Technology, Guizhou University) ,  Wu Hongxian (College of Big Data and Information Engineering, Institute of Advanced Optoelectronic Materials and Technology, Guizhou University) ,  Liang Feng (College of Big Data and Information Engineering, Institute of Advanced Optoelectronic Materials and Technology, Guizhou University) ,  Yang Yunliang (College of Big Data and Information Engineering, Institute of Advanced Optoelectronic Materials and Technology, Guizhou University) ,  Xiao Qingquan (College of Big Data and Information Engineering, Institute of Advanced Optoelectronic Materials and Technology, Guizhou University) ,  Xie Quan (College of Big Data and Information Engineering, Institute of Advanced Optoelectronic Materials and Technology, Guizhou University)
資料名： Gongneng Cailiao  (Gongneng Cailiao)
巻： 47  号： 9  ページ： 9091-9094  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2095A  ISSN： 1001-9731  CODEN： GOCAEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： マグネトロンスパッタリングと熱処理システムを用いて,MG_2SI/ALヘテロ接合を調製した。まず,N-SI(111)基板上にMG膜を堆積させ,熱処理によりMG_2SI/SIヘテロ接合を得た。MG_2SI/ALヘテロ接合の結晶構造,表面形態,MG_2SI薄膜の厚さ,I-V特性,および導電性を,XRD,SEM,表面メータ,ボルタンメトリー,およびHALL効果試験装置を用いて研究した。その結果,MG_2SI/ALヘテロ接合が成功裏に調製され,平均キャリア濃度(-9.30×10(12)CM(-3)),ターンオン電圧(0.31V),ターンオン電流(0.6MA),動作電圧(0.53V)が得られた。このヘテロ接合はN-N型であった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶構造 ,  電圧 ,  X線回折 ,  *電流電圧特性 ,  ボルタンメトリー ,  マグネトロンスパッタリング ,  ターンオン ,  薄膜 ,  試験装置 ,  熱処理 ,  導電性 ,  *ヘテロ接合 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： ターンオン電圧 ,  表面形態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： DC-magnetron sputtering ,  Mg_2Si/Si heterojunction ,  I-V characterization

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： Al ,  ヘテロ接合 ,  調製 ,  研究