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J-GLOBAL ID：201702218226710733   整理番号：17A0358183

炭素アミドと水素化Gao高温下のIN SITU反応層のAES/XPS解析【JST・京大機械翻訳】

AES and XPS Analysis on Hydrogen Permeation Barrier Formed by Reaction between Urea and Zirconium Hydride at High Temperature

著者 (5件)： Yan Guoqing (General Research Institute for Nonferrous Metals) ,  Chen Yang (General Research Institute for Nonferrous Metals) ,  Wu Ming (General Research Institute for Nonferrous Metals) ,  Peng Jiaqing (General Research Institute for Nonferrous Metals) ,  Wang Lijun (General Research Institute for Nonferrous Metals)
資料名： Xiyou Jinshu Cailiao yu Gongcheng  (Xiyou Jinshu Cailiao yu Gongcheng)
巻： 45  号： 12  ページ： 3302-3305  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0563A  ISSN： 1002-185X  CODEN： XJCGEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： C,O,N源とC-O-H結合を含むTanXianAnの高温分解により,水素層の元素組成,深さ,および炭素含有量を,AUGER電子分光法(AES)とX線光電子分光法(XPS)によって分析した。AESの結果は以下を示す。化物の表面反応層はC、N、O、ZR元素からなり、スパッタリング時間が増加するにつれて、O、ZR元素の含有量が増加し、C、N元素の含有量が低下した。その場反応層の厚さは約3.4ΜMであり、その中にN、C層の深さは約150NMである。化物表面における水素のXPS分析は,ZRO_2が表面層に存在し,ZR-OH,ZR-N,C-H,N-H結合が存在することを示した。水素は拡散過程でC,O,Nにより捕捉され,C,O,Nを含む化物の表面反応場における層対Qingの浸透がある程度阻害されることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 表面反応 ,  *水素化 ,  拡散過程 ,  スパッタリング ,  *高温 ,  電子分光法 ,  *水素 ,  X線光電子分光法 ,  *炭素 ,  表層
準シソーラス用語： その場反応 ,  炭素量 ,  元素組成 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： zirconium hydride ,  hydrogen permeation barriers ,  urea ,  auger electron spectroscopy ,  X-ray photoelectron spectroscopy

分類 (1件)： 電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 炭素 ,  アミド ,  水素化 ,  反応層 ,  AES ,  XPS ,  解析