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J-GLOBAL ID：201702218347322193   整理番号：17A0367665

相分離は有機電界効果トランジスタにおける高移動度と電気的安定性を誘導する【Powered by NICT】

Phase separation induced high mobility and electrical stability in organic field-effect transistors

著者 (2件)： Bharti Deepak (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Jodhpur, Jodhpur, Rajasthan 342011, India) ,  Tiwari Shree Prakash (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Jodhpur, Jodhpur, Rajasthan 342011, India)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 221  ページ： 186-191  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TIPS-ペンタセン:ポリスチレンブレンドを用いた有機電界効果トランジスタで達成される相分離誘起された高いキャリア移動度と電気的安定性。硬質Si/SiO_2基質は,特に相分離を調べるために選択した。走査型電子顕微鏡像,やがてから確認されたように,TIPS-ペンタセンとポリスチレンの間の垂直相分離は,純粋なTIPS-ペンタセンのそれと比較してポリマブレンド素子の優れたキャリア移動度をもたらした。最大正孔移動度はPSとTIPS-ペンタセンブレンドのSiO_2に2.6cm~2V~ 1s~ 1純TIPS-ペンタセンの0.2cm~2V~ 1s~ 1から改善され,平均値1.5cm~2V~ 1秒~ 1であった。高い移動度とは別に,TIPS-ペンタセン:PSブレンドデバイスは,2時間の一定バイアス応力,純デバイス(~80%)と比較して中のドレイン電流(~30%)における非常に低い減衰を示した。興味深いことに,この減衰は静止状態におけるブレンドデバイスのための完全に回復した。バイアスストレスによるしきい値電圧の対応するシフトした界面トラップと高いトラップ時間の密度の低い値によって確認されるように,界面のより良い品質によるTIPS-ペンタセン:PS素子の方が低かった。TIPS-ペンタセンにおける高電気的安定性:ポリスチレンブレンドデバイスもrepeatabiliiy研究,ほとんど変化しないデバイス特性を示すにより支持された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 走査電子顕微鏡 ,  バイアス ,  キャリア移動度 ,  界面 ,  ポリスチレン ,  *相分離 ,  *移動度
準シソーラス用語： デバイス特性 ,  界面トラップ ,  閾値電圧 ,  ドレイン電流 ,  正孔移動度 ,  TIPS ,  *高移動度 ,  *有機FET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 有機電界効果トランジスタ ,  相分離 ,  高移動度 ,  電気安定性 ,  バイアス強調

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 相分離 ,  有機電界効果トランジスタ ,  高移動度 ,  電気的安定性 ,  誘導