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J-GLOBAL ID：201702218466041397   整理番号：17A0057906

ふっ素プラズマ処理によるAlGaN/GaNH EMTに対する熱アニーリングの影響【Powered by NICT】

Influence of thermal annealing on AlGaN/GaN HEMT by fluorine plasma treatment

著者 (6件)： He Yunlong (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, No. 2, South Taibai Road, Xi’an, Shaanxi Province) ,  Mi Minhan (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, No. 2, South Taibai Road, Xi’an, Shaanxi Province) ,  Zhang Meng (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, No. 2, South Taibai Road, Xi’an, Shaanxi Province) ,  Wang Chong (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, No. 2, South Taibai Road, Xi’an, Shaanxi Province) ,  Ma Xiaohua (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, No. 2, South Taibai Road, Xi’an, Shaanxi Province) ,  Hao Yue (Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, No. 2, South Taibai Road, Xi’an, Shaanxi Province)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SSLChina: IFWS  ページ： 116-119  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるフッ素プラズマ処理パワーを有する四種類のAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)の熱アニーリングの影響を比較し,詳細に分析した。ふっ素プラズマ処理で生じたSchottky金属とAlGaN障壁層の間に薄いフッ素化層はアニーリング前Schottky逆ゲート漏れ電流の比較したままと熱処理後に確認した。最大飽和電流とH EMTのピーク相互コンダクタンスは,アニーリング前増加フッ素プラズマ処理電力と共に減少し,それらがアニーリング後に部分的に回復した。ふっ素プラズマ処理による二重掃引曲線のヒステリシスは,拡大した。F~ イオンは,障壁層中のアクセプタ状態を導入することができ,高温は,フッ素プラズマ処理によって導入されたいくつかのトラップ状態を除去することができた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 相互コンダクタンス ,  アクセプタ ,  電力 ,  高温 ,  HEMT ,  ヒステリシス ,  *フッ素 ,  *焼なまし ,  *プラズマ処理
準シソーラス用語： 飽和電流 ,  ゲート漏れ電流 ,  バリア層 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  *AlGaN/GaN ,  *熱アニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ふっ素 ,  プラズマ処理 ,  AlGaN ,  EMT ,  熱アニーリング