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J-GLOBAL ID：201702219040335517   整理番号：17A0214282

垂直スピン移動トルク(p STT)磁気メモリのサイクリング耐久性【Powered by NICT】

Understanding cycling endurance in perpendicular spin-transfer torque (p-STT) magnetic memory

著者 (9件)： Carboni R. (Dipartimento di Elettronica, Informazione e Bioingegneria (DEIB), Politecnico di Milano and IU.NET, piazza L. da Vinci 32, 20133, Milano, Italy) ,  Ambrogio S. (Dipartimento di Elettronica, Informazione e Bioingegneria (DEIB), Politecnico di Milano and IU.NET, piazza L. da Vinci 32, 20133, Milano, Italy) ,  Chen W. (Micron Technology, Boise, ID, USA) ,  Siddik M. (Micron Technology, Boise, ID, USA) ,  Harms J. (Micron Technology, Boise, ID, USA) ,  Lyle A. (Micron Technology, Boise, ID, USA) ,  Kula W. (Micron Technology, Boise, ID, USA) ,  Sandhu G. (Micron Technology, Boise, ID, USA) ,  Ielmini D. (Dipartimento di Elettronica, Informazione e Bioingegneria (DEIB), Politecnico di Milano and IU.NET, piazza L. da Vinci 32, 20133, Milano, Italy)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 21.6.1-21.6.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直スピン移動トルク(p STT)メモリをストレージクラスメモリ(SCM)または静的/動的RAM置換として大きな興味を集めている。これらの応用では,高速と拡張された耐久性は必須であり,時には矛盾する必要条件である。パルス実験によるp STT素子のサイクリング耐久性と絶縁破壊のモデル化を扱った。印加電圧,パルス幅,パルス極性と遅延時間の関数としてSTT耐久性を予測するための新しい耐久性モデルを提案した。RAM置換のための書き込み時間と耐久性の間のトレードオフは最終的に検討した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 極性 ,  高速度 ,  モデリング ,  必要条件 ,  *耐久性 ,  パルス ,  パルス幅 ,  *記憶装置 ,  絶縁破壊 ,  *磁気メモリ
準シソーラス用語： 遅延時間 ,  印加電圧 ,  *スピントルク , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 垂直 ,  スピン移動トルク ,  磁気メモリ ,  サイクリング