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J-GLOBAL ID：201702219180811621   整理番号：17A0705007

性能の巨大熱電図を持つビスマスベース半Heusler合金【Powered by NICT】

Bismuth based half-Heusler alloys with giant thermoelectric figures of merit

著者 (4件)： Vikram (Department of Physics, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai 400076, India. [e-mail]) ,  Kangsabanik Jiban ,  Enamullah ,  Alam Aftab
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 5  号： 13  ページ： 6131-6139  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハーフホイスラー熱電材料はそれらの熱安定性,機械的強度,及び中程度の効率のために過去二年間にわたる広範な研究の関心を集めている。三ビスマスをベースにした最も有望な熱電合金の電気的および熱輸送特性のab initio理論的評価,五十四の安定な半ホイスラー化合物の選択を提示した。これらは最近安定であることを提案した(Nature Chem,308(2015))新しい化合物であり,興味深い特性を持っている可能性がある。HfRhBi,ZrIrBiとZrRhBi,三化合物の計算したバンド構造は,それらの有望な熱電特性のためのヒントとして機能した。HfRhBiとZrIrBiは狭いバンドギャップ半導体であることが判明したZrRhBiは中程度のバンドギャップ半導体である。Seebeck係数,力率,格子および電子熱伝導度のキャリア濃度および温度依存性と,性能指数(ZT)の詳細な研究を行った。最も有望な知られている熱電材料とは対照的に,これらの材料(最高~17.36mW m~ 1K~ 2p型ZrIrBi)のための高出力因子を見出した。全て三つの系(特にp型)は,高いZT値,理想的な結晶の0.45を示した。最大ZTと対応する最適nおよびp型ドーピング濃度を計算し,それは将来の実験研究のためのガイダンスを提供するであろう。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体 ,  機械的強度 ,  キャリア密度 ,  *ホイスラー合金 ,  熱電材料 ,  力率 ,  性能指数 ,  バンドギャップ ,  熱安定性 ,  熱伝導率
準シソーラス用語： p型ドーピング ,  出力因子 ,  Seebeck係数 ,  熱電特性 ,  熱輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (2件)： ビスマス ,  Heusler合金