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J-GLOBAL ID:201702219507335320   整理番号:17A0062421

RFマグネトロンスパッタリングによるWO_3薄膜のエレクトロクロミック特性を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Electrochromic Behavior of WO_3 Thin Films Prepared by Radio Frequency Magnetron Sputtering
著者 (4件):
資料名:
巻: 40  号:ページ: 902-907  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2058A  ISSN: 0258-7076  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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高電圧マグネトロンスパッタリング技術を用いて、透明導電性酸化インジウムスズ(ITO)ガラス上に異なる作動圧力と異なる酸素分圧(比)条件下でのWO_3薄膜を堆積し、そのエレクトロクロミック特性を研究した。X線回折(XRD)と走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて、薄膜の成分構造と表面形態を分析し、電気化学測定ワークステーションと紫外可視二色分光光度計を用いて、薄膜のエレクトロクロミックサイクリックボルタンメトリー特性と光電気特性を研究した。結果は,RFマグネトロンスパッタリングによって調製したWO_3薄膜の構造とエレクトロクロミック特性が,ある程度影響を受けることを示した。酸素分圧に対して、薄膜の堆積過程における仕事圧力はWO_3薄膜の成分構造とエレクトロクロミック特性に対する影響がより顕著であり、仕事圧力の増大により、薄膜は結晶から結晶へ次第に変化し、薄膜表面のミクロ構造は更に粗くなる。さらに,より良いサイクリックボルタンメトリー特性とより広い光調整範囲を有する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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その他の無機化合物の薄膜  ,  半導体薄膜 
タイトルに関連する用語 (4件):
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