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J-GLOBAL ID:201702219600802273   整理番号:17A0055490

光電気化学的水分解素子への応用のためのPECVD技術により堆積した炭化けい素薄膜【Powered by NICT】

Silicon carbide thin films deposited by PECVD technology for applications in photoelectrochemical water splitting devices
著者 (9件):
資料名:
巻: 2016  号: ASDAM  ページ: 215-218  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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非晶質炭化けい素膜は,光電気化学水分解デバイスなどの技術でSiC膜を使用する目的でSi基板上にPECVD法で作製した。膜中の元素の濃度はRBSとERD法により決定した。FTIR,RamanおよびI-V測定から,硫酸水溶液電解質への試料の浸漬前後に使用した。電解質への浸漬前後のI-V特性の間のRamanやFTIRスペクトルと差の違いを論じた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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