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J-GLOBAL ID：201702219670287744   整理番号：17A0027208

ランダムテレグラフノイズを用いたHK/MG FinFETにおけるストレス誘起欠陥のモニタリング

Monitoring Stress-Induced Defects in HK/MG FinFETs Using Random Telegraph Noise

著者 (5件)： Puglisi Francesco Maria (Dipartimento di Ingegneria Enzo Ferrari, Universita` di Modena e Reggio Emilia, Modena, Italy) ,  Costantini Felipe (Dipartimento di Ingegneria Enzo Ferrari, Universita` di Modena e Reggio Emilia, Modena, Italy) ,  Kaczer Ben (imec, Leuven, Belgium) ,  Larcher Luca (Dipartimento di Scienze e Metodi dell’Ingegneria, Universita` di Modena e Reggio Emilia, Reggio Emilia, Italy) ,  Pavan Paolo (Dipartimento di Ingegneria Enzo Ferrari, Universita` di Modena e Reggio Emilia, Modena, Italy)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 37  号： 9  ページ： 1211-1214  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ストレス中のn型FinFETの劣化をI_DおよびI_Gノイズ解析を利用して報告した。ストレス/測定の方法を採用し,累積ストレスの異なるレベルでデバイス特性を監視した。I_G-V_GおよびI_D-V_Dの指標は,発生する欠陥がチャネルから離れて生成することを示唆した。動作状態におけるI_DおよびI_Gの定常的なRTN信号の定量分析によってこれを確認し,プレーナFETについて報告とは反対に相関がないことを示した。更に,ストレス中のI_D-tおよびI_G-tの非定常不安定性を初めて分析した。この結果から,ストレス誘起リーク電流(SILC)の原因となる欠陥の発生がチャネルから離れていることを確認した。高い欠陥密度に起因してゲートとドレイン電流レベルが同等であること起因して,高レベルのストレスを印加したデバイスでのみ,ストレス中に観測したI_D-tおよびI_G-t曲線は反相関を示した。したがって,n型FinFETでは,I_DおよびI_GのRTN/不安定性は,異なる存在を含むメカニズムに起因する可能性がある。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  ゲート【半導体】 ,  *雑音 ,  電流 ,  漏れ電流 ,  *欠陥 ,  *監視
準シソーラス用語： *FinFET ,  SILC ,  ゲート電流 ,  ドレイン電流 ,  *ランダムテレグラフノイズ ,  金属ゲート ,  高κゲート誘電体

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  雑音測定  (ND04030F)

タイトルに関連する用語 (7件)： ランダムテレグラフノイズ ,  Mg ,  FinFET ,  ストレス ,  誘起 ,  欠陥 ,  モニタリング