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J-GLOBAL ID:201702219880973364   整理番号:17A0310503

ナノリソグラフィーへの応用のための熱応答性光相変化材料を用いた超解像近接場構造の設計原理【Powered by NICT】

Design principle of super resolution near-field structure using thermally responsive optical phase change materials for nanolithography applications
著者 (6件):
資料名:
巻: 102  ページ: 45-55  発行年: 2016年07月15日 
JST資料番号: A0495B  ISSN: 0264-1275  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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二誘電体層の間に熱応答性光位相変化材料(PCM)の薄層から構成される超解像近接場構造(Super-RENS)を,直接レーザリソグラフィーのためのレーザビームの限定された分解能を解決する手段である。Super-RENSにおいて,入射レーザ照射は直接,可逆的開口とPCM層のナノ開口の閉鎖を誘導し,ナノスケールパターンはリソグラフィーシステムで実現した。ここでは,第一近接場構造の厳密な解析に基づくナノリソグラフィー,有限要素法における熱分析,フォトレジスト(PR)層上に対応する特徴サイズの解析におけるSuper-RENSの完全なモデリング手順と最適化方法を導入した。PCM層の多重組合せと様々な次元を持つ二誘電体層はナノリソグラフィーシステムに必要な分解能を得るための設計パラメータとして考慮した。実現可能な線プロフィルをパルスレーザビームの一般的な運転条件,寸法変化PCM層(5 30nm)と二層の誘電体層(10 200nm)に基づいて調べた。ナノリソグラフィー系への応用のためのSuper-RENSの設計と最適化のための詳細な方法論を提供するであろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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