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J-GLOBAL ID:201702219935516708   整理番号:17A0759322

階層的GaN Nanotripodsの格子対称性駆動エピタクシー【Powered by NICT】

Lattice-Symmetry-Driven Epitaxy of Hierarchical GaN Nanotripods
著者 (20件):
資料名:
巻: 27  号:ページ: ROMBUNNO.201604854  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1336A  ISSN: 1616-301X  CODEN: AFMDC6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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階層的GaN nanotripodsの格子対称性駆動エピタクシーを実証した。nanotripodsは六方晶GaNナノワイヤの頂部,分子ビームエピタクシーを用いて柱状パターンがGaNテンプレート上に成長させた選択的に出現した。高分解能透過型電子顕微鏡は,二種類の格子対称性のウルツ鉱型(wz)と閃亜鉛鉱(zb)をGaN nanotripods中に共存することを確認した。wzおよびzb-間の周期的変態はN極性を持つ階層的nanotripodsのエピタクシーを駆動する。zb GaNは吸着原子の低い拡散によって形成され,成長温度が増加するにつれて移動するGa吸着原子の能力を改善することにより抑制することができた。階層的GaN nanotripodsのこの制御可能なエピタクシー量子ドットはnanotripodsとナノワイヤの相接合に位置することを可能にする,多チャネル量子デバイスのための新しい処方を示唆した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
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セラミック・陶磁器の製造 
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