文献

J-GLOBAL ID：201702220435542070   整理番号：17A0792473

高分子系ベークライトRPC検出器材料の自由体積パラメータと電気伝導率に及ぼす酸素イオン注入の影響【Powered by NICT】

Influence of oxygen ion implantation on the free volume parameters and electrical conductivity of a polymer-based bakelite RPC detector material

著者 (4件)： Aneesh Kumar K. V. (Department of Studies in Physics, University of Mysore, Manasagangothri, Mysuru, 570006, India) ,  Kumaraswamy G. N. (Department of Physics, Amrita School of Engineering, Amrita Vishwa Vidyapeetham, Bengaluru, 560035, India) ,  Ranganathaiah C. (JSS Technical Institutions, JSSTI Campus, Mysuru, 570006, India) ,  Ravikumar H. B. (Department of Studies in Physics, University of Mysore, Manasagangothri, Mysuru, 570006, India)
資料名： Journal of Applied Polymer Science  (Journal of Applied Polymer Science)
巻： 134  号： 24  ページ： ROMBUNNO.44962  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0467A  ISSN： 0021-8995  CODEN： JAPNAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 構造修飾に及ぼすイオン注入の効果と高エネルギー物理学実験で使用したベークライト抵抗性平板チェンバ(RPC)検出器材料の電気伝導率を調べた。ベークライト高分子試料を10~12 10~15イオンcm~ 2のフルエンスの100keVと150keV酸素イオンに曝露した。イオン注入誘起された微細構造変化を,陽電子消滅寿命分光法,X線回折およびFourier変換赤外分光法を用いて研究した。陽電子寿命パラメータ,o-Ps寿命とその強度はラジカルの形成,高エネルギーイオンとそれに続く100keV注入の低フルエンスで鎖切断によって内部飛跡の生成による二次イオンを示した。150keVイオン注入で減少した自由体積の大きさは架橋の適応と注入イオンによる内部飛跡の記入である。周波数に伴うac伝導率の変化は,100keVでJonscherべき乗則に従い,伝導機構は障壁ホッピングモデルにより説明した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *自由体積 ,  *高分子 ,  微細構造 ,  *電気伝導率 ,  ラジカル ,  *フェノール樹脂 ,  *イオン ,  *酸素 ,  フルエンス ,  *検出器 ,  X線回折 ,  *イオン注入
準シソーラス用語： *伝導率 ,  飛跡 ,  *酸素イオン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 加齢 ,  橋かけ ,  自由体積 ,  morphology

分類 (4件)： 表面処理  (YH04112X) ,  放射線高分子化学  (CG03050S) ,  高分子固体のその他の性質  (CG02025L) ,  高分子と低分子との反応  (CG03020L)

タイトルに関連する用語 (9件)： 分子系 ,  ベークライト ,  RPC ,  検出器 ,  自由体積 ,  パラメータ ,  電気伝導率 ,  酸素イオン ,  注入