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J-GLOBAL ID：201702220460657097   整理番号：17A0445222

深く埋没した層のHAXPESにおけるバックグラウンド解析のための効果的な非弾性散乱断面積【Powered by NICT】

Effective inelastic scattering cross-sections for background analysis in HAXPES of deeply buried layers

著者 (20件)： Risterucci P. (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France) ,  Risterucci P. (CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Risterucci P. (Universite de Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon, 36 avenue Guy de Collongue, 69134 Ecully, France) ,  Risterucci P. (Department of Physics, Chemistry and Pharmacy, University of Southern Denmark, DK-5230 Odense M, Denmark) ,  Renault O. (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France) ,  Renault O. (CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Zborowski C. (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France) ,  Zborowski C. (CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Zborowski C. (Sorbonne Universites, UPMC Univ. Paris 06, CNRS, UMR 7614, Laboratoire de Chimie Physique-Matiere et Rayonnement, F-75005, Paris, France) ,  Zborowski C. (Universite de Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon, 36 avenue Guy de Collongue, 69134 Ecully, France) ,  Zborowski C. (Department of Physics, Chemistry and Pharmacy, University of Southern Denmark, DK-5230 Odense M, Denmark) ,  Bertrand D. (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France) ,  Bertrand D. (CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Torres A. (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France) ,  Torres A. (CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Rueff J.-P. (Synchrotron SOLEIL, L’Orme des Merisiers Saint-Aubin, BP 48 91192, Gif-sur-Yvette Cedex, France) ,  Rueff J.-P. (Sorbonne Universites, UPMC Univ. Paris 06, CNRS, UMR 7614, Laboratoire de Chimie Physique-Matiere et Rayonnement, F-75005, Paris, France) ,  Ceolin D. (Synchrotron SOLEIL, L’Orme des Merisiers Saint-Aubin, BP 48 91192, Gif-sur-Yvette Cedex, France) ,  Grenet G. (Universite de Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon, 36 avenue Guy de Collongue, 69134 Ecully, France) ,  Tougaard S. (Department of Physics, Chemistry and Pharmacy, University of Southern Denmark, DK-5230 Odense M, Denmark)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 402  ページ： 78-85  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HAXPESスペクトルの非弾性バックグラウンド解析は最近深く埋め込まれた層や界面における元素分布へのアクセスを得るための強力な手段として導入された,表面下60nmまでの深さであった。しかし解析の精度は,潜在的に非常に異なる散乱特性を持つ個々の層から成る被覆層構造を通る光電子の輸送を効果的に記述することができる適切な散乱断面積に依存する。,Quases解析ソフトウェアに実装されたTougaardの実用的フレームワーク内で,広く異なる断面を有する厚い(25 40nm)多層構造を通る光電子輸送は各層の個々の断面積の加重和の形で有効断面積で記述できることを示した。高分解能内殻準位解析は部分的に使用される個々の断面積の性質を決定するための指針を提供する。連続アニーリング処理の前と後でAlGaN/GaN電力トランジスタデバイススタックにおけるトップAl/Ti二層構造の実用的な場合とこの新しい方法を例示した。解析は表面下約50nmまでのTiとGa深さ分布に関する信頼性のある洞察を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 連続焼なまし ,  *非弾性 ,  チタン ,  被覆層 ,  電力トランジスタ ,  多層構造 ,  界面 ,  ガリウム ,  高分解能 ,  光電子 ,  *断面積 ,  深さ分布 ,  内殻準位
準シソーラス用語： *散乱断面積 ,  元素分布 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 硬X線光電子放出 ,  埋もれた界面 ,  非弾性散乱断面積 ,  背景解析

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  スパッタリング  (BK16110U) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 層 ,  HAXPES ,  バックグラウンド ,  解析 ,  非弾性散乱断面積