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J-GLOBAL ID：201702221190440625   整理番号：17A0055453

銀基板上に成長させたAlGaN/GaN/AlN FETの高信頼性長期運転【Powered by NICT】

Highly reliable long-term operation of AlGaN/GaN/AlN HFETs grown on silver substrate

著者 (10件)： Fox A. (Peter Gruenberg Institute (PGI-9), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Mikulics M. (Peter Gruenberg Institute (PGI-9), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Marso M. (Faculte ́ des Sciences, de la Technologie et de la Communication, Universite ́ du Luxembourg, L-1359 Luxembourg) ,  Kocan M. (School of Electrical, Electronic and Computer Engineering, University of Western Australia, Crawley, WA, Australia) ,  Sofer Z. (Dept. of Inorganic Chemistry, Institute of Chemical Technology, Prague, Technicka ́ 5, 166 28 Prague 6, Czech Republic) ,  Kordos P. (Institute of Electronics and Photonics, Slovak Technical University, SK-81219 Bratislava, Slovak Republic) ,  Luth H. (Peter Gruenberg Institute (PGI-9), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Schubert J. (Peter Gruenberg Institute (PGI-9), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Grutzmacher D. (Peter Gruenberg Institute (PGI-9), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Hardtdegen H. (Peter Gruenberg Institute (PGI-9), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ASDAM  ページ： 65-68  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銀金属基板上のIII族窒化物層の最適化された成長のためのMO VP EとMB Eをベースにした新規「複合」二段階エピタキシャル法を開発した。AlGaN/GaN/AlNヘテロ構造はFETの製造のために使用した。電気的性質だけでなく,長期運転特性を研究し,比較して従来のデバイスとした。銀基板上に直接堆積したヘテロ構造における改良した熱散逸はチャネル温度(7W/mmで 60%)の有意な減少をもたらし,サファイア基板上に成長させた従来のAlGaN/GaN層と比較して調査(最大約1000時間)下での全範囲でのドレイン電流(±2%)の長期安定性に好ましい影響を与える。提示された結果は,新規材料デバイスコンセプトの大きな可能性を実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： チャネル ,  エピタクシー ,  電気的性質 ,  *窒化アルミニウム ,  窒化物 ,  最適化
準シソーラス用語： 長期安定性 ,  ドレイン電流 ,  サファイア基板 ,  熱散逸 ,  運転特性 ,  ヘテロ構造 ,  *AlGaN/GaN ,  金属基板 ,  *高信頼性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 銀 ,  成長 ,  AlGaN ,  GaN ,  AlN ,  FET ,  高信頼性 ,  長期