文献

J-GLOBAL ID：201702221378358815   整理番号：17A0754681

低温特性に適合したIII-V族太陽電池のための基質除去処理法【Powered by NICT】

A substrate removal processing method for III-V solar cells compatible with low-temperature characterization

著者 (6件)： Villa J. (Instituto de Energia Solar, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, 28040 Madrid, Spain) ,  Ramiro I. (Instituto de Energia Solar, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, 28040 Madrid, Spain) ,  Ripalda J.M. (Instituto de microelectronica de Madrid, CNM (CSIC), C/Isaac Newton 8, PTM, 28760 Tres Cantos, Madrid, Spain) ,  Antolin E. (Instituto de Energia Solar, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, 28040 Madrid, Spain) ,  Garcia I. (Instituto de Energia Solar, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, 28040 Madrid, Spain) ,  Marti A. (Instituto de Energia Solar, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, 28040 Madrid, Spain)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 63  ページ： 58-63  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,熱的および電気的に導電性界面を通るホルダにエピタクシーの直接付着と両立する太陽電池のための基板除去手順を提示した。自験例ではこの方法はデバイスの低温キャラクタリゼーションと両立する加工技術を開発する必要性によって動機付けられた。法はシリコン支持薄膜エピタキシャル構造を接合するインジウムの使用に基づいている。インジウムの適切な性質,すなわち,低い引張強度と良好な熱伝導率と電気伝導率は,試料中の歪誘起分解を引き起こすことなく,非常に低い温度で素子を評価できた。この方法により,InAs量子ドットの層のない薄膜(1.74μm)AlGaAs太陽電池を作製し,特性化した。を種々の温度でデバイスの光電流または量子効率を測定する,300Kから20Kまでの範囲で低温で測定するためのこの方法の妥当性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ケイ素 ,  導電性 ,  熱伝導率 ,  *低温 ,  光電流 ,  薄膜 ,  電気伝導率 ,  キャラクタリゼーション ,  *太陽電池 ,  量子効率 ,  インジウム ,  エピタクシー ,  引張強さ ,  ヒ化ガリウムアルミニウム
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  *低温特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 薄膜 ,  基板除去 ,  低温度 ,  集光型太陽電池 ,  III-V族半導体

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低温特性 ,  太陽電池 ,  基質 ,  除去処理