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J-GLOBAL ID：201702221756664296   整理番号：17A0443955

SiO_x:H/bi SiN_x H/SiO_xの応用:ナノワイヤでテクスチャ化した結晶シリコン太陽電池のシリコンナノ結晶を埋込んだH積層被覆【Powered by NICT】

Application of SiO_x:H/bi-SiN_x:H/SiO_x:H stacked coatings embedded by silicon nanocrystals on crystalline silicon solar cells with nanowire texturing

著者 (8件)： Ma Xiao-Bo (Material Physics and Chemistry Research Center, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, PR China) ,  Zhang Wei-Jia (Material Physics and Chemistry Research Center, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, PR China) ,  Zhang Wei (Inner Mongolia Junzheng Energy & Chemical group Co., Ltd., Wuhai 016000, PR China) ,  Ma Qiang (Material Physics and Chemistry Research Center, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, PR China) ,  Fan Zhi-Qiang (Material Physics and Chemistry Research Center, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, PR China) ,  Ma Deng-Hao (Material Physics and Chemistry Research Center, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, PR China) ,  Jiang Zhao-Yi (Material Physics and Chemistry Research Center, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, PR China) ,  Zhang Yu-Long (Material Physics and Chemistry Research Center, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, PR China)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 624  ページ： 21-28  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,シリコンナノ結晶(Si NC ARCs)により組み込まれたSiO_x:H/bi SiN_ H/SiO_SiCx:H四重層反射防止膜は,ナノワイヤでテクスチャ化したn型単結晶シリコン系太陽電池上に堆積したプラズマ化学気相蒸着を強化する手段であった。研磨したシリコンウエハ上にSi-NC ARCの平均反射率は4.97%(300 1000nm)であった。Si-NC ARCが堆積した後ナノワイヤテクスチャリングを用いたシリコンウエハの少数キャリア寿命はほぼ39倍促進された。さらに,Si-NC ARCは顕著な発光ダウンシフト効果(LDS)を示し,青紫領域に強い吸収とそれに続く赤-近赤外線領域で再発光を,太陽電池に達する前に,太陽光スペクトルを変更し,その結果,より良好なスペクトル応答を得た。電池コストの顕著な増大なしに,Si-NC ARCを堆積後,ナノワイヤでテクスチャ化した太陽電池の外部量子効率,短絡電流密度と光変換効率は著しく向上した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 近赤外線 ,  反射率 ,  少数キャリア ,  反射防止膜 ,  発光 ,  *太陽電池 ,  *ナノワイヤ ,  *電池
準シソーラス用語： 短絡電流密度 ,  外部量子効率 ,  シリコンウエハ ,  単結晶シリコン ,  *ナノ結晶シリコン ,  *結晶シリコン太陽電池 ,  *テクスチャ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 太陽電池 ,  シフト効果発光 ,  Nanowires ,  シリコンナノ結晶

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： Bi ,  応用 ,  ナノワイヤ ,  テクスチャ ,  結晶シリコン太陽電池 ,  シリコンナノ結晶 ,  埋込