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J-GLOBAL ID：201702221783498497   整理番号：17A0389408

c軸はマグネトロンスパッタリングによる結晶性IGZO薄膜トランジスタを指向【Powered by NICT】

C-Axis oriented crystalline IGZO thin-film transistors by magnetron sputtering

著者 (12件)： Zhang Junpeng (Guangdong Research Center for Interfacial Engineering of Functional Materials, Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Wen Xizhang ,  Hu Luyao ,  Xu Wangying ,  Zhu Deliang ,  Cao Peijiang ,  Liu Wenjun ,  Han Shun ,  Liu Xinke ,  Jia Fang ,  Zeng Yuxiang ,  Lu Youming
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 9  ページ： 2388-2396  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マグネトロンスパッタリングにより室温でc軸配向結晶IGZO薄膜の直接形成を実証した。IGZO薄膜と薄膜トランジスタ(TFT)の電気的性能に及ぼす酸素分圧,ポストアニーリング温度とチャネル厚さのようなプロセスパラメータの影響を集中的に調べた。堆積結晶IGZO TFTは,4.49cm~2V~ 1s~ 1の移動度とオン/オフ比2.08×10~7を示した。アニールしたデバイスでは,高移動度10.51cm~2V~ 1s~ 1の0.672V10~ 1のサブしきい値スイング,0.38Vのしきい値電圧,オン/オフ電流比~10~8の400°Cのアニーリング温度で達成された。これらの結果は,配向した結晶性IGZOを用いた高性能TFTの開発に向けた重要なステップを示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *結晶度 ,  *薄膜 ,  *薄膜トランジスタ ,  プロセスパラメータ ,  *マグネトロンスパッタリング ,  移動度 ,  *結晶
準シソーラス用語： オフ電流 ,  閾値電圧 ,  サブ閾値 ,  高移動度 ,  アニーリング温度 ,  酸素分圧 ,  c軸配向 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： C軸 ,  マグネトロンスパッタリング ,  結晶性 ,  IGZO ,  薄膜トランジスタ