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J-GLOBAL ID：201702222005183725   整理番号：17A0400881

a-に位置する欠陥状態と固定電荷の影響:HIT太陽電池の性能に及ぼす:H/c-Si界面【Powered by NICT】

Influence of defect states and fixed charges located at the a-Si:H/c-Si interface on the performance of HIT solar cells

著者 (6件)： Oppong-Antwi Louis (Materials Physics Department, Zhejiang Normal University, Zhejiang 321004, China) ,  Huang Shihua (Materials Physics Department, Zhejiang Normal University, Zhejiang 321004, China) ,  Li Qiannan (Materials Physics Department, Zhejiang Normal University, Zhejiang 321004, China) ,  Chi Dan (Materials Physics Department, Zhejiang Normal University, Zhejiang 321004, China) ,  Meng Xiuqing (Materials Physics Department, Zhejiang Normal University, Zhejiang 321004, China) ,  He Lv (Materials Physics Department, Zhejiang Normal University, Zhejiang 321004, China)
資料名： Solar Energy  (Solar Energy)
巻： 141  ページ： 222-227  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0099A  ISSN： 0038-092X  CODEN： SRENA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,種々のHIT太陽電池構造のシミュレーション研究を,AFORS HETシミュレーションソフトウェアを用いて行った。太陽電池性能に及ぼすa-Si:H/p-Si界面での欠陥準位と固定電荷の影響を調べた。a-Si:H/p+/C Si界面の上側に位置する欠陥状態は,a-Si:H/p+/C Si界面の底部に位置するものよりも大きくHIT性能に影響を与えることが分かった。しかし,界面欠陥状態と比較して,c-Siウエハの両側に位置する界面固定電荷は反対の効果を示した。a-Si H/c p Si界面の結晶性部分の強いバンド曲がりの重要な役割は界面欠陥状態と界面固定電荷の変化を示した。界面欠陥状態と界面固定電荷の密度を最適化することにより,29.19%の効率を達成した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *太陽電池 ,  欠陥準位 ,  最適化 ,  *界面 ,  シミュレーション ,  結晶度
準シソーラス用語： バンド曲がり ,  界面欠陥 ,  シミュレーションソフトウェア ,  *固定電荷 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： シミュレーション ,  界面欠陥状態 ,  界面固定電荷 ,  a-Si:H/c-Siヘテロ接合太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 欠陥状態 ,  固定電荷 ,  太陽電池 ,  Si ,  界面