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J-GLOBAL ID：201702222184643042   整理番号：17A0473436

NbドープアナターゼTiO_2の強い光触媒に向けての欠陥工学:計算機予測と実験的検証【Powered by NICT】

Defect engineering toward strong photocatalysis of Nb-doped anatase TiO₂: Computational predictions and experimental verifications

著者 (13件)： Khan Sovann (Materials Architecturing Research Center, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Hwarangno 14-gil 5, Seongbuk-gu, Seoul 02792, Republic of Korea) ,  Khan Sovann (Department of Nanomaterial Science and Engineering, Korea University of Science and Technology, 217 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34113, Republic of Korea) ,  Cho Haneol (Department of Nanomaterial Science and Engineering, Korea University of Science and Technology, 217 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34113, Republic of Korea) ,  Cho Haneol (Computational Science Research Center, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Hwarangno 14-gil 5, Seongbuk-gu, Seoul 02792, Republic of Korea) ,  Kim Donghun (Computational Science Research Center, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Hwarangno 14-gil 5, Seongbuk-gu, Seoul 02792, Republic of Korea) ,  Han Sang Soo (Computational Science Research Center, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Hwarangno 14-gil 5, Seongbuk-gu, Seoul 02792, Republic of Korea) ,  Lee Kyu Hwan (Department of Nanomaterial Science and Engineering, Korea University of Science and Technology, 217 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34113, Republic of Korea) ,  Lee Kyu Hwan (Small & Medium Enterprises Support Center, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Hwarangno 14-gil 5, Seongbuk-gu, Seoul 02792, Republic of Korea) ,  Cho So-Hye (Materials Architecturing Research Center, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Hwarangno 14-gil 5, Seongbuk-gu, Seoul 02792, Republic of Korea) ,  Cho So-Hye (Department of Nanomaterial Science and Engineering, Korea University of Science and Technology, 217 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34113, Republic of Korea) ,  Song Taeseup (School of Materials Science and Engineering, Yeungnam University, Gyeongsan 38541, Republic of Korea) ,  Choi Heechae (Computational Science Research Center, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Hwarangno 14-gil 5, Seongbuk-gu, Seoul 02792, Republic of Korea) ,  Choi Heechae (Center of Materials Simulation Research, Virtual Lab Inc., Hwarangno 14-gil 5, Seongbuk-gu, Seoul 02792, Republic of Korea)
資料名： Applied Catalysis. B: Environmental  (Applied Catalysis. B: Environmental)
巻： 206  ページ： 520-530  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0375A  ISSN： 0926-3373  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光学遷移における点欠陥の役割を光化学材料の望ましい工学への鍵である。本研究では,NbドープアナターゼTiO_2の有意に変化する光学的および光化学的性質の起源を調べ,密度汎関数理論(DFT)計算と実験的検証を用いて系統的にした。はDFT計算から見られる多くの実験の報告で報告されている~0.1eVによるアナターゼTiO_2の望ましいバンドギャップ減少とNb~5+をドープしたアナターゼTiO_2の光触媒及び光起電力効率の改善は~としてNb_Ti~+の補償器複合体(Nb_Ti V_Ti)の形成によると考えた。著者らの実験は,望ましい(Nb_Ti V_Ti)~33錯体の濃度を増加させると期待される,O_2~リッチアニーリングはTiO_2のバンドギャップを狭め,NbドープTiO_2粒子の光触媒活性を強く増強することを示した。一方,O_2~-リッチ雰囲気,O格子間欠陥(O_i)による深い準位の形成に起因する中でアニールした場合,純TiO_2はかなり悪い光触媒性能を示した。理論的に得られた電荷有効質量は,無ドープおよびNbドープTiO_2の異なる光触媒活性を説明することができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 焼なまし ,  光化学 ,  触媒活性 ,  *ドーピング ,  密度汎関数法 ,  電荷 ,  光起電力 ,  *アナターゼ ,  有効質量 ,  点欠陥 ,  深い準位 ,  バンドギャップ ,  *光触媒
準シソーラス用語： 光触媒活性 ,  光学遷移 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： DFT ,  Nbドーピング ,  TiO_2 ,  アニーリング ,  欠陥

分類 (2件)： 光化学反応  (CB08020F) ,  光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (8件)： Nb ,  光触媒 ,  欠陥 ,  工学 ,  計算機 ,  予測 ,  実験 ,  検証