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J-GLOBAL ID：201702222437297492   整理番号：17A0275545

橋脚配置におけるGaNトランジスタの偽ターンオン評価のための解析モデル【Powered by NICT】

An analytical model for false turn-on evaluation of GaN transistor in bridge-leg configuration

著者 (5件)： Xie Ruiliang (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong, China) ,  Wang Hanxing (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong, China) ,  Tang Gaofei (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong, China) ,  Yang Xu (School of Electrical Engineering, Xi’an Jiaotong University, Shaanxi, Xi’an, China) ,  Chen Kevin J. (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ECCE  ページ： 1-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム(GaN)トランジスタは高周波数でスイッチングの能力で特に魅力的で,寸法を縮小し,高効率である電力変換システムを可能にする。しかし,市販エンハンスメントモード(Eモード)GaNデバイスの低いしきい値電圧のために,デバイスである偽ターンオン現象を起こしやすい,橋脚配位のより大きなスイッチング損失,回路振動とシュート-スルーももたらした。むだ時間中の逆伝導損失を増加させずにゲート端子の安全動作マージンを拡大するために,ターンオフと反並列ダイオードのための負のゲート電圧バイアスをGaNトランジスタに適用することができる。本研究では,橋脚配置におけるGaNトランジスタの詳細なターンオン特性を正確に評価するために,分析装置はデバイスのI-VおよびC-V特性の強い非線形性のための数は最初に開発されたモデル化した。回路パラメータとしてのGaNトランジスタと反並列ダイオードの固有挙動を考慮に入れた解析用の回路モデルを確立した。,ゲート端子に重要な過渡波形,変位電流と偽りのトリガリング電圧パルスなどをシミュレートすることができる。提案したモデルは,GaNを基本とする橋脚回路と試験ボードで検証した。偽ターンオンを抑制するための設計指針を提供するために,回路パラメータの影響を提案したモデルに基づいて検討した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 非線形性 ,  HF【周波数】 ,  バイアス ,  *トランジスタ ,  モデリング ,  スイッチング損失 ,  *ターンオン ,  回路定数 ,  ターンオフ ,  *解析モデル ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： 変位電流 ,  ゲート電圧 ,  閾値電圧 ,  高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 橋脚 ,  GaN ,  トランジスタ ,  ターンオン ,  評価 ,  解析モデル