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J-GLOBAL ID：201702222550511642   整理番号：17A0751076

アルミニウム吸着原子ドーピングによる超高電子移動度をもつ黒リンN型電界効果トランジスタ【Powered by NICT】

Black Phosphorus N-Type Field-Effect Transistor with Ultrahigh Electron Mobility via Aluminum Adatoms Doping

著者 (5件)： Prakash Amit (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, 4 Engineering Drive 3, 117583, Singapore) ,  Cai Yongqing (Institute of Higher Performance Computing, 1 Fusionopolis Way, 138632, Singapore) ,  Zhang Gang (Institute of Higher Performance Computing, 1 Fusionopolis Way, 138632, Singapore) ,  Zhang Yong-Wei (Institute of Higher Performance Computing, 1 Fusionopolis Way, 138632, Singapore) ,  Ang Kah-Wee (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, 4 Engineering Drive 3, 117583, Singapore)
資料名： Small  (Small)
巻： 13  号： 5  ページ： ROMBUNNO.201602909  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能黒りんn型電界効果トランジスタは効果的な電子供与体,260Kで>1495cm~2V~ 1s~ 1の記録的に高い移動度を達成したAl吸着原子を用いて実現した電子移動度は低温での不純物散乱に確認され,一方,金属的な伝導は高温での増強された電子-フォノン相互作用に起因する増加したキャリア密度と高いゲートバイアスで観測された。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 金属 ,  *移動度 ,  *アルミニウム ,  高温 ,  *黒リン ,  低温 ,  電子-フォノン相互作用 ,  *FET【トランジスタ】 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： ゲートバイアス ,  不純物散乱 ,  電子供与体 ,  *電子移動度 ,  *吸着原子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： アルミニウム吸着原子 ,  黒りん ,  ドーピング ,  mobility ,  ホスホレン

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： アルミニウム ,  吸着原子 ,  ドーピング ,  電子移動度 ,  黒リン ,  電界効果トランジスタ